Главная / Новости / Новости "IXYS"

Новости "IXYS"

Cиловые XPT IGBT-транзисторы на 1200 В от IXYS. Обновление линейки

10.08.2011 | IXYS

IXYS представляет новые высоковольтные дискретные XPT IGBT-транзисторы, расширяющие линейку IGBT на 1200 В. Максимальный ток на 1200 В теперь составляет 160 А.

Новое семейство MOSFET транзисторов Polar3 от IXYS

20.06.2011 | IXYS

Компания IXYS анонсировала выпуск нового семейства MOSFET транзисторов Polar3. Новые транзисторы объединяют последние достижения технологии Polar c технологией HiPerFET для получения улучшенных электрических и тепловых характеристик. Отличительные особенности транзисторов Polar3:

Значительное расширение семейства Q3 новейших MOSFET транзисторов IXYS

20.06.2011 | IXYS

Корпорация IXYS вдвое расширила семейство Q3 новейших MOSFET транзисторов, выполненных по современным технологиям HiperFET и PolarHV. Особенности MOSFET транзисторов семейства Q3:

IXYS выпустил новейшие MOSFET-транзисторы семейства Q3 с низким Rds и Qg

31.03.2011 | IXYS

МТ-систем представляет новейшие MOSFET-транзисторы IXYS HiperFET семейства Q3, выполненные по улучшенной технологии PolarHV с применением двойной металлизации.

Мощные тиристорные и диодные модули на 3600В

29.03.2011 | IXYS

Корпорация IXYS совместно с дочерней компанией Westcode объявляют о расширении линейки мощных тиристорных и тиристорно-диодных модулей в изолированных корпусах. Новые модули отличаются рабочим напряжением до 3.6кВ и током до 327А, сохраняют работоспособность в диапазоне от -40°С до +125°С.

На склад поступили мощные капсульные тиристоры Westcode на 910А и на 1226А

10.02.2011 | IXYS

Капсульные тиристоры, производимые фирмой Westcode, используются для решения наиболее мощных задач силовой электроники: - построения зарядных и тяговых подстанций для железнодорожного и электротранспорта, - управления мощным электроприводом в промышленности, - в составе выпрямительных подстанций, - в системах безударного/плавного пуска, - для построения мощных компенсаторов реактивной мощности (ККМ),

Новые 600В XPT IGBT транзисторы IXYS

07.02.2011 | IXYS

Корпорация IXYS объявляет о расширении линейки дискретных IGBT транзисторов на 600В, выполненных по современной технологии Extreme Light Punch Through (XPT), которая является очередным этапом развития класса NPT IGBT.

Simbus A - новое поколение модулей для монтажа без пайки

30.12.2010 | IXYS

Корпорация IXYS приступила к выпуску силовых модулей в новом корпусе Simbus A. Модули Simbus A выполнены на керамической подложке по высокоэффективной DCB-технологии, что позволило получить предельное напряжение изоляции «терминалы/теплоотвод» величиной 4800В.Модули построены по прижимной технологии, что позволило улучшить теплообмен и поднять мощность модулей. Модули отличаются повышенной устойчивостью к термоциклированию и пиковым нагрузкам.

Новые тиристорные и тиристорно-диодные модули SimBus A от IXYS

30.12.2010 | IXYS

Корпорация IXYS представляет диодные и тиристорно-диодные модули в новейшем корпусе Simbus A. Модуль двойного тиристора MCMA200P1600SA предоставляет два тиристора в топологии «phase-leg», модуль MDMA200P1600SA является модулем двойного диода, модуль MCMA200PD1600SA – комбинация тиристора и диода.

LDS8991 - драйвер сверхъяркого светодиода от IXYS

29.12.2010 | IXYS

Корпорация IXYS предлагает образцы и демонстрационные платы для драйвера сверхъяркого светодиода LDS8991. Драйвер LDS8991 предназначен для использования совместно с мощными светодиодами, используемыми при фото- и видеосъёмке, и позволяет использовать светодиод в режиме вспышки (питание током 1,2А) и непрерывной подсветки (питание током 200мА). Допускается энергопитание драйвера от любого источника питания с напряжением от 2,7В до 5,5В, например – от Li-ion аккумулятора. Эффективность работы драйвера составляет 90%.