Главная / Новости / Новости "IXYS"

Новости "IXYS"

Высокочастотный MOSFET драйвер IXRFD630 от IXYS COLORADO

27.03.2013 | IXYS

IXYS COLORADO - представляет 30А высокочастотный драйвер MOSFET

Интеллектуальные датчики движения ZMOTION от ZILOG

20.03.2013 | IXYS

IXYS представляет ZMOTION – однокристальное решение для построения датчиков вторжения, датчиков движения и датчиков присутствия.

Расширение линейки твердотельных реле IXYS IC.

19.03.2013 | IXYS

IXYS IC представила две новинки в линейке твердотельных реле - CPC1907B и PLA171P, обе с напряжением изоляции 5000В 

Новые 600А IGBT модули IXYS

15.02.2013 | IXYS

Компания IXYS выпустила новые IGBT модули на напряжение 650В и ток до 600А.

CPC1593 - новое высоконадежное твердотельное реле с тройной защитой

26.12.2012 | IXYS

В линейке защищенных твердотельных реле IXYS IC появилось реле с функцией ограничения тока защитой от перенапряжения и температурной защитой.

Обновление линейки 1200В XPT IGBT транзисторов IXYS.

25.12.2012 | IXYS

Компания IXYS представляет новые высоковольтные дискретные XPT IGBT-транзисторы, расширяющие линейку IGBT на 1200 В. Максимальный ток на 1200 В теперь составляет 220 А.

Расширение линейки твердотельных реле переменного тока IXYS IC.

12.12.2012 | IXYS

Компания IXYS IC выпустила новое твердотельное реле CPC 1966B с рабочим напряжением до 800В, током до 5А и преключением при нулевом напряжении.

Приглашаем на Силовую Электронику-2012!

15.10.2012 | IXYS

Приглашаем Вас посетить стенд МТ-систем на 9-й международной специализированной выставке "Силовая Электроника"! Время проведения: 27  - 29 ноября 2012 Место проведения: Крокус Экспо (станция метро «Мякинино»), павильон №2, зал 6 Время работы выставки: с 10:00 до 18:00 (29 ноября до 16:00) Стенд МТ-систем: С02

Расширилась линейка силовых MOSFET транзисторов Polar3

10.10.2012 | IXYS

Напряжение до 600V, ток до 210А, малый заряд затвора, широкий выбор корпусов

IXYS представила уникальные Reverse Blocking IGBTs транзисторы

01.10.2012 | IXYS

Идеальное решение для построения матричного инвертора, транзисторы с симметричной характеристикой обратного напряжения.