Главная / Новости / Новости "IXYS" / Новое семейство MOSFET транзисторов Polar3 от IXYS

Новое семейство MOSFET транзисторов Polar3 от IXYS

20.06.2011 | IXYS

Компания IXYS анонсировала выпуск нового семейства MOSFET транзисторов Polar3.

Новые транзисторы объединяют последние достижения технологии Polar c технологией HiPerFET для получения улучшенных электрических и тепловых характеристик.

Отличительные особенности транзисторов Polar3:

  • низкое сопротивление открытого канала Rds от 39 мОм, 
  • низкий заряд затвора Qg от 33 нКл,
  • низкое тепловое сопротивление RthJCMAX 0.066 °/Вт,
  • высокая рассеиваемая мощность Pd до 1890 Вт,
  • превосходные показатели по dV/dt,
  • высокую устойчивость в лавинном режиме.

Совокупность перечисленных электрических и тепловых характеристик позволяет улучшить эффективность схемотехники и топологию устройств, использующих MOSFET транзисторы при переходе на Polar3.

Возможные применения транзисторов Polar3:

  • преобразователи для узлов коррекции коэфициента мощности (ККМ),
  • импульсные источники питания (AC/DC),
  • DC/DC преобразователи,
  • источники бесперебойного питания (UPS),
  • приводы электродвигателей (инверторы, ШИМ-контроллеры),
  • балласты электролюминисцентных ламп,
  • системы питания для лазеров,
  • зарядные устройства,
  • блоки разряда конденсаторов,
  • робототехника и сервопривод.

Транзисторы Polar3 обеспечивают очень привлекательную совокупность параметров Rdson x Qg (FOM или график Мерита) на уровне 9.6 Ом-нКл, обеспечивая одновременное снижение статических и динамических потерь транзистора, что позволяет увеличить эффективность и снизить энергию потребления силового электрического преобразователя.

Транзисторы Polar3 изначально доступны для напряжений: 500В и 600В:

PartNumber Vdss
max
(V)		 Id25(cont)
@
Tc=25°C
(A)		 Rds(on)
max
@
Tvj=25°C
(Ohm)		 Ciss
typ
(pF)		 Qg
typ
(nC)		 trr
max
(ns)		 Pd
(W)		 RthJC
max
(°/W)		 PackageStyle
Транзисторы на 500В
IXFH60N50P3 500 60 0.1 6250 96 250 1040 0.12 TO-247
IXFQ60N50P3 500 60 0.1 6250 96 250 1040 0.12 TO-3P
IXFT60N50P3 500 60 0.1 6250 96 250 1040 0.12 TO-268
IXFK78N50P3 500 78 0.068 9900 147 250 1130 0.11 TO-264
IXFX78N50P3 500 78 0.068 9900 147 250 1130 0.11 PLUS247
IXFK98N50P3 500 98 0.05 13100 197 250 1300 0.096 TO-264
IXFX98N50P3 500 98 0.05 13100 197 250 1300 0.096 PLUS247
IXFN132N50P3 500 112 0.039 18600 250 250 1500 0.083 SOT-227
IXFB132N50P3 500 132 0.039 18600 250 250 1890 0.066 PLUS264
Транзисторы на 600В
IXFH22N60P3 600 22 0.36 2600 38 250 500 0.25 TO-247
IXFP22N60P3 600 22 0.36 2600 38 250 500 0.25 TO-220
IXFQ22N60P3 600 22 0.36 2600 38 250 500 0.25 TO-3P
IXFH28N60P3 600 28 0.26 3560 50 250 695 0.18 TO-247
IXFQ28N60P3 600 28 0.26 3560 50 250 695 0.18 TO-3P
IXFH42N60P3 600 42 0.185 5150 78 250 830 0.15 TO-247
IXFH50N60P3 600 50 0.145 6300 94 250 1040 0.12 TO-247
IXFQ50N60P3 600 50 0.145 6300 94 250 1040 0.12 TO-3P
IXFT50N60P3 600 50 0.145 6300 94 250 1040 0.12 TO-268
IXFK64N60P3 600 64 0.095 9900 145 250 1130 0.11 TO-264
IXFX64N60P3 600 64 0.095 9900 145 250 1130 0.11 PLUS247
IXFK80N60P3 600 80 0.07 13100 190 250 1300 0.096 TO-264
IXFX80N60P3 600 80 0.07 13100 190 250 1300 0.096 PLUS247
IXFN110N60P3 600 90 0.056 18000 245 250 1500 0.083 SOT-227
IXFB110N60P3 600 110 0.056 18000 245 250 1890 0.066 PLUS264

Высокочастотные приложения, такие как импульсные источники и бесперебойные источники питания, существенно выиграют от сверхнизкого заряда затвора новых транзисторов (Qg=38 нКл, Qgd= 11нКл, Vgs=10В). Низкие значения заряда позволяют разработчикам увеличивать эффективность преобразователя за счет увеличения рабочей частоты и использовать меньшие по габаритам пассивные компоненты, снижая размеры и стоимость печатной платы. Одновременно, снижение заряда затвора позволяет уменьшить мощность драйвера управления (Gate Drive Power = Qg x Vgs x Fsw). Снижение мощности драйвера управления влечет в итоге снижение его сложности и стоимости.

Динамические характеристики новых транзисторов дополнены применением новейших быстродействующих обратных диодов IXYS со сниженным зарядом обратного восстановления Qrr и улучшенными характеристиками выключения на высоких dV/dt.

За счет высоких допустимых значений dV/dt новые транзисторы имеют высокие показатели в высоковольтных режимах коммутации. Кроме того, транзисторы Polar3 не требуют наличия внешнего диода, который усложняет топологию, в то время как наличие встроенного диода снижает потери и увеличивает общую эффективность схемы. Наличие встроенного быстродействующего диода совместно с преимуществами  HiPerFET играет главную роль в повышении коммутационных характеристик ключа, улучшает надежность и обеспечивает более высокие частоты коммутации, в том числе в «жестких» режимах, характерных для импульсных источников питания.

Техническая документация доступна по ссылкам в таблице, а также - на сайте производителя.

Фирма MT-систем является официальным дистрибьютором IXYS в России.

Заказ образцов / Условия поставок / Технический вопрос