Cиловые XPT IGBT-транзисторы на 1200 В от IXYS. Обновление линейки

IXYS представляет новые высоковольтные дискретные XPT IGBT-транзисторы, расширяющие линейку IGBT на 1200 В. Максимальный ток на 1200 В теперь составляет 160 А.

IXYS представляет новые высоковольтные дискретные XPT IGBT-транзисторы, расширяющие линейку IGBT на 1200 В. Максимальный ток на 1200 В теперь составляет 160 А.

Новые XPT IGBT транзисторы IXYS

Как и для всей линейки устройств на кристалле XPT, для новых IGBT транзисторов характерны меньшие значения энергии управления (по сравнению с NPT IGBT) и способность переносить условия «жесткого переключения» на частоте до 50 кГц. Это позволяет повысить эффективность преобразования энергии, а также использовать более компактные, лёгкие и недорогие пассивные компоненты, устанавливаемые совместно с силовым ключом. В результате уменьшаются габариты конечного устройства, и сокращается его себестоимость.
Новые транзисторы, отличаются низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat) до 3.0 В), низким уровнем энергии выключения (Eoff до 1.2 мДж при Tj = 25 °С) и низким зарядом затвора (Qg, до 143 нКл), а в результате - меньшими потерями на управление. Их использование не требует применения дорогих и сложных драйверных схем, что дополнительно снижает стоимость решения и повышает надёжность работы. Данные транзисторы хорошо совместимы с драйверами от Clare.

Для мощных применений зачастую требуется параллельное включение IGBT-транзисторов. Благодаря положительной зависимости напряжения коллектор-эмиттер VCE(sat) от температуры новые IGBT IXYS идеально подходят для параллельного включения.

Транзисторы сохраняют работоспособность в условиях лавинного пробоя (dynamic avalanche ratings) и имеют прямоугольную область безопасной работы при выключении (RBSOA).

Область безопасной работы при выключении (RBSOA)

Область RBSOA расширена до напряжения запирания устройства, что дополнительно характеризует надёжность  XPT IGBT IXYS.

Транзисторы доступны со встроенным антипараллельным сверхбыстрым Sonic-FRD™ диодом IXYS (Sonic-FRD™ - суффикс H1, например IXYN82N120C3H1). Сочетание технологий XPT™ и Sonic-FRD™ позволяет снизить потери выключения транзистора. При этом мягкое восстановление встраиваемого Sonic-FRD™ диода позволяет XPT IGBT включаться при очень высоких di/dt при любой температуре и даже в случае малых токов, а также обеспечивает снижение уровня электромагнитных помех, независимо от уровня коммутируемых токов.

Особенности:

 - высокая мощность
 - работа в режиме «жесткого» переключения до 50 кГц
 - устойчивость к лавинному пробою
 - прямоугольную область RBSOA
 - возможность параллельного включения
 - малая энергия для управления
 - высокая крутизна по управлению (усиление)
 - стандартный корпус

Области применения данных транзисторов:

 - силовые ВЧ инверторы,
 - источники бесперебойного питания,
 - управление электроприводом,
 - мощные системы управления освещением,
 - сварочные аппараты,
 - зарядные устройства,
 - мощные корректоры коэффициента мощности,
 - высоковольтные импульсные источники питания.

Документация на представленные транзисторы доступна по ссылкам в таблице и на сайте производителя.

MT-систем – официальный дистрибьютор IXYS в России.

Заказ образцов / Условия поставок / Технический вопрос