Главная / Новости / Новости "IXYS" / Новые 600В XPT IGBT транзисторы IXYS

Новые 600В XPT IGBT транзисторы IXYS

07.02.2011 | IXYS

Корпорация IXYS объявляет о расширении линейки дискретных IGBT транзисторов на 600В, выполненных по современной технологии Extreme Light Punch Through (XPT), которая является очередным этапом развития класса NPT IGBT.

Отличительными особенностями новых транзисторов являются:
 - высокая допустимая рабочая температура – до 175°С,
 - низкое падение в открытом состоянии - Vcesat до 1.8 В,
 - малое время спада тока - tfi до 42 нс,
 - низкая энергия выключения - Eoff до 0.33 мДж.

Транзисторы обладают положительным температурным коэффициентом напряжения, что позволяет осуществлять их параллельное включение с целью достижения требуемых уровней мощности.

Представленные транзисторы разделены на два класса - класс B3 и класс C3, отличающиеся быстродействием. Данное разделение дает разработчикам возможность выбора оптимального устройства с учётом частоты коммутации, напряжения насыщения и стоимости устройства. Транзисторы класса B3 – это баланс между проводимостью и потерями переключения, они оптимальны для частот 10 кГц ÷ 30 кГц. Транзисторы класса C3 отличаются минимальными потерями переключения и рекомендуются для частот переключения 20 кГц ÷ 60 кГц.

Предлагаемые транзисторы могут оснащаться встроенным обратным диодом, выполненным по технологии IXYS Sonic-FRDTM или HiPerFREDTM, что дополнительно снижает потери при запирании транзистора. Кроме того данные диоды отличаются мягкой характеристикой восстановления, что позволяет включать XPT IGBT транзисторы при высоких di/dt даже при низком токе при любой температуре, а также обеспечивает превосходную ЭМИ-совместимость независимо от величины коммутируемого тока.
Тип встроенного обратного диода указан в обозначении транзистора:
 - суффикс H1 обозначает Sonic-FRDTM, например IXXK100N60C3H1,
 - суффикс D1 обозначает HiPerFREDTMTM, например - IXXH50N60C3D1.

Области применения предлагаемых устройств:
 - силовые инверторы,
 - источники бесперебойного питания,
 - системы управления электроприводом,
 - импульсные источники питания,
 - корректоры коэффициента мощности,
 - зарядные устройства,
 - сварочные аппараты,
 - устройства электронного балласта.

В первый выпуск XPT IGBT попадают устройства с токами от 100A до 210A:

Модель

VCES
(V)

IC25
Tc=25°C
(A)

IC100
Tc=100°C
(A)

Vce(sat)
max
(V)

tfi
typ
(ns)

Eoff typ
TJ=125°C
(mJ)

RthJC
max
(°/W)

Встроенный
диод

Корпус

IXXH100N60B3

600

210

100

1.8

150

2.8

0.18

-

TO-247

IXXK100N60B3H1

600

190

-

1.8

150

2.8

0.18

Sonic-FRD

TO-264

IXXH50N60C3

600

100

50

2.3

42

0.48

0.25

-

TO-247

IXXH50N60C3D1

600

100

50

2.3

42

0.48

0.25

HiPerRFED

TO-247

IXXH100N60C3

600

190

100

2.2

75

1.4

0.18

-

TO-247

IXXK100N60C3H1

600

170

-

2.2

75

1.4

0.18

Sonic-FRD

TO-264

Подробная техническая информация о предлагаемых транзисторах доступна по ссылкам, приведённым в таблице, а также на сайте производителя.

Фирма MT-систем является крупнейшим представителем корпорации IXYS в России.