13.12.2010 | IXYS
Корпорация IXYS продолжает расширять линейку MIXA - модулей, содержащих транзисторы, выполненные по самой современной технологии XPT. Транзисторы, изготовленные по данной технологии, отличаются низким падением напряжения в открытом состоянии и увеличенной плотностью тока.25.10.2010 | IXYS
Корпорация IXYS объявляет о выпуске мощных MOSFET-ключей IXTZ550N055T2, <21.10.2010 | IXYS
04.10.2010 | IXYS
Компания IXYS объявляет о снятии с производства ряда позиций в линейке 1200В NPT3 IGBT30.09.2010 | IXYS
Корпорация IXYS, лидер в области силовых полупроводниковых приборов для мощной преобразовательной техники и систем управления электроприводом, объявляет об обновлении в линейке радиочастотных силовых модулей, содержащих драйвер и MOSFET-ключ в едином корпусе.26.08.2010 | IXYS
Корпорация IXYS объявляет об успешной интеграции технологии на основе карбида кремния (SiC) и новейшей технологии «Super Junction» MOSFET в едином удобном для пользователя устройстве, обладающем повышенной предельной плотностью мощности и повышенной эффективностью в таких приложениях как источники питания с быстрой коммутацией и инвертеры солнечных батарей.19.08.2010 | IXYS
Корпорация IXYS совместно с дочерней компанией Clare Inc.06.08.2010 | IXYS
Корпорация IXYS объявила о выпуске PolarP2™ Power MOSFET - нового семейства силовых транзисторов последнего поколения, расширяющих линейку быстрых и надежных силовых MOSFET, производимых IXYS.06.08.2010 | IXYS
Корпорация IXYS объявила о выпуске PolarP2™ Power MOSFET - нового семейства силовых транзисторов последнего поколения, расширяющих линейку быстрых и надежных силовых MOSFET, производимых IXYS.06.08.2010 | IXYS
Входящая в IXYS компания Clare Inc. приступила к производству семейства микросхем 4-амперных двухканальных низковольтных драйверов затвора. IXD_604, первая микросхема из серии мощных низковольтных драйверов затвора, предлагаемых Clare, особенно хорошо подходит для управления силовыми IGBT и MOSFET-транзисторами IXYS.