Главная / Новости / Новости "Новые продукты"

Новости "Новые продукты"

Серия изолирующих усилителей – новая категория продуктов компании Toshiba Semiconductor

08.09.2015 | Новые продукты

Компания МТ-Систем, информирует разработчиков о появлении новой категории продуктов компании Toshiba Semiconductor: изолирующих усилителей TLP7820/TLP7920 и TLP7830/TLP7930.

TB9081FG: новый пре-драйвер электроусилителя руля (EPS)

01.09.2015 | Новые продукты

Фирма МТ-Систем предлагает разработчикам автоэлектроники, TB9081FG: новый пре-драйвер электроусилителя руля (EPS) компании Toshiba Semiconductor®. Новая микросхема пре-драйвера TB9081FG соответствует строгим требованиям стандарта функциональной безопасности дорожного транспорта ISO 26262, уровень ASIL-D.

SSM3K56ACT, SSM3J56ACT: миниатюрные (1x0.6мм) N- и P- канальный MOSFET-транзисторы с относительно высоким током стока (1.4А) компании Toshiba Semiconductor

31.08.2015 | Новые продукты

Компания МТ-Систем предлагает разработчикам портативных устройств SSM3K56ACT, SSM3J56ACT – новые 20В сверхминиатюрные N- и P- канальный MOSFET-транзисторы  с относительно высоким током стока (1.4А) компании Toshiba Semiconductor®.

SSM3K318R, SSM3K2615R: Автомобильные 60В N-канальные MOSFET-транзисторы в компактном корпусе SOT-23F с низким RDS(on) компании Toshiba Semiconductor

31.08.2015 | Новые продукты

Компания МТ-Систем предлагает разработчикам автоэлектроники SSM3K318R, SSM3K2615R – автомобильные 60В N-канальные MOSFET-транзисторы от одного из ведущих в отрасли мирового производителя – Toshiba Semiconductor®.

Интеллектуальный ключ нижнего плеча для автомобильных применений компании Toshiba Semiconductor

12.05.2015 | Новые продукты

Фирма МТ-Систем предлагает разработчикам автоэлектроники, TPD1058FA – новый интеллектуальный ключ нижнего плеча компании Toshiba Semiconductor.

TLP5214 интеллектуальный драйвер затвора для управления IGBT-и MOSFET- транзисторами, в цепях с высокой индуктивной нагрузкой компании Toshiba Semiconductor

05.02.2015 | Новые продукты

Компания МТ-Систем, предлагает разработчикам TLP5214 – интеллектуальный драйвер затвора IGBT- и MOSFET- транзисторов с оптической развязкой компании Toshiba Semiconductor.  Микросхема выпускается в низкопрофильном корпусе SO16L высотой 2.3 мм. Драйвер способен управлять, как IGBT-транзисторами средней мощности, так и мощными MOSFET-транзисторами напрямую, обеспечивая высокое значение пикового выходного тока  (IOP=±4A).

Новые миниатюрные оптореле TLP3417, TLP3420, TLP3440 и TLP3475 для высокочастотных и высоковольтных приложений компании Toshiba Semiconductor

19.01.2015 | Новые продукты

МТ-Систем сообщает о появлении на рынке оптронов новых миниатюрных оптореле TLP3417, TLP3420, TLP3440 и TLP3475 компании Toshiba Semiconductor.

TPH1R005PL и TPH2R608NH: новые мощные 45В и 75B N-ch MOSFET в корпусе SOP Advance с низким сопротивление открытого канала не более 1.04 и 2.6 мОм

15.01.2015 | Новые продукты

Компания МТ-Систем предлагает разработчикам высокоэффективных DC-DC преобразователей, TPH1R005PL и TPH2R608NH – новые 45В и 75B N-ch MOSFET в корпусе SOP Advance, с низким сопротивление открытого канала 1.04 и 2.6 мОм, от одного из ведущих в отрасли мирового производителя – Toshiba Semiconductor.

Интерфейсные модули WIZ550io поступили на склад компании МТ-Систем

26.11.2014 | Новые продукты

Уважаемые партнеры! На склад компании МТ-Систем поступили образцы сетевых интерфейсных модулей WIZ550io, производства компании WIZNet. Интерфейсный модуль WIZ550io представляет собой автоматически конфигурируемый Ethernet-контроллер на основе микросхемы серии W5500. Модуль имеет собственный уникальный MAC-адрес, и способен автоматически конфигурироваться в поддерживаемом фрагменте сети. Ключевое преимущество модуля — быстрое подключение клиентского устройства c SPI к сети Ethernet.

N-канальные MOSFET от 30В до 100В в корпусах с Двойной Металлизацией в формате SO8

07.11.2014 | Новые продукты

Компания Toshiba Semiconductor выводит на рынок новую серию N-канальных полевых транзисторов, напряжением от 30В до 100В, в корпусах Advanced DSOP с Двойной Металлизацией в форм-факторе SO8. Благодаря инновационному корпусу эффективность теплоотвода  значительно  улучшилась.