N-канальные MOSFET от 30В до 100В в корпусах с Двойной Металлизацией в формате SO8

Компания Toshiba Semiconductor выводит на рынок новую серию N-канальных полевых транзисторов, напряжением от 30В до 100В, в корпусах Advanced DSOP с Двойной Металлизацией в форм-факторе SO8. Благодаря инновационному корпусу эффективность теплоотвода  значительно  улучшилась.

Корпус Advanced DSOP может быть установлен в тот же самый футпринт 5x6 мм, что и Advanced SOP (традиционных транзисторов популярных производителей). Сравнительные тесты, проведенные инженерами компании Toshiba Semiconductor, показали, что нагрев корпуса в одном и том же дизайне для 30-вольтовых транзисторов был более чем на 34% меньше, при токе 30A. Следует добавить, что в некоторых дизайнах новый корпус Advanced DSOP избавляет от необходимости использовать радиатор.

В корпусе Advanced DSOP будут выпускаться транзисторы как по уже существующей технологии UMOS VIII-H, так и по новой UMOS IX-H и будут иметь рабочее напряжение от 30В до 100В. Эти технологии сочетает в себе минимизацию значения RDS(ON),  и низкий заряд затвора для ультраэффективной производительности переключений.

Модельный ряд:

*  - находится в стадии разработки, доступны только образцы

Для заказа и за дополнительной информацией обращайтесь в фирму МТ-Систем по телефону:

+7(812)325-36-85 или по электронной почте: toshiba@mt-system.ru