Главная / Новости / Новости "Новые продукты" / SSM3K318R, SSM3K2615R: Автомобильные 60В N-канальные MOSFET-транзисторы в компактном корпусе SOT-23F с низким RDS(on) компании Toshiba Semiconductor

SSM3K318R, SSM3K2615R: Автомобильные 60В N-канальные MOSFET-транзисторы в компактном корпусе SOT-23F с низким RDS(on) компании Toshiba Semiconductor

31.08.2015 | Новые продукты

               

Компания МТ-Систем предлагает разработчикам автоэлектроники SSM3K318R, SSM3K2615R – автомобильные 60В N-канальные MOSFET-транзисторы от одного из ведущих в отрасли мирового производителя – Toshiba Semiconductor®.

Оба транзистора выпускаются в корпусе SOT-23F и полностью соответствуют требованиям автомобильного стандарта AEC-Q100.

 

Чертеж корпуса SOT-23F

Отличительные черты:

  • Максимальное напряжение сток-исток: VDSS=60В;
  • Максимальное напряжение затвор-исток: VGSS=±20В;
  • Относительно высокая номинальная мощность рассевания стока: PD=1Вт;
  • Низкое сопротивление открытого канала:
    • RDS(on)=145мОм макс. @VGS=4.5В (SSM3K318R);
    • RDS(on)=145мОм макс. @VGS=4В (SSM3K2615R);
  • Низкое напряжение включения: 3.3В (SSM3K2615R);
  • Соответствуют требованиям автомобильного стандарта AEC-Q100;
  • Компактный корпус: SOT-23F (2.4x2.9 мм).

 

Сравнительные характеристики SSM3K318R и SSM3K2615R:

Модель

Предельные рабочие характеристики

RDS(ON) макс.

[mΩ]

Ciss
тип.
[пФ]

ton
тип.
[нс]

toff
тип.
[нс]

VDSS
[В]

VGSS
[В]

ID
[А]

PD
[Вт]

@VGS=
3.3 В

@VGS=
4.0 В

@VGS=
4.5 В

@VGS=
10 В

SSM3K318R

60

±20

2.5

1

-

-

145

107

235

14

9.5

SSM3K2615R

60

±20

2.0

1

580

440

-

300

150

30

150

    Доступность:

    Транзисторы находятся в массовом производстве и доступны под заказ. Для заказа обращайтесь в фирму МТ-Систем – официального дистрибьютора компании Toshiba Semiconductor.