Компания МТ-Систем, предлагает разработчикам TLP5214 – интеллектуальный драйвер затвора IGBT- и MOSFET- транзисторов с оптической развязкой компании Toshiba Semiconductor. Микросхема выпускается в низкопрофильном корпусе SO16L высотой 2.3 мм. Драйвер способен управлять, как IGBT-транзисторами средней мощности, так и мощными MOSFET-транзисторами напрямую, обеспечивая высокое значение пикового выходного тока (IOP=±4A). |
Чертеж корпуса SO16L (слева) и рекомендованный футпринт (справа)
Высота низкопрофильного корпуса SO6L, составляющая всего 2.3 мм. Это позволяет инженерам разработчикам устанавливать TLP5214 на нижней стороне печатной платы, где, как правило, имеются строгие ограничения по высоте, тем самым способствуя миниатюризации и снижению себестоимости конечных устройств. За счет гарантированного зазора, составляющего 8 мм, TLP5214, обеспечивает высокую прочность изоляции до 5 кВ.
Функциональная схема TLP5214
В драйвер TLP5214, интегрирована схема блокировки выхода при пониженном напряжении (ULVO), схема подавления эффекта Миллера (предотвращающая ложное срабатывание нижнего ключа), схема обнаружения десатурации (предотвращающая перегрузку по току управляемого транзистора) и схема “мягкого выключения” IGBT (снижающее переходное перенапряжение при выключении). Дополнительно микросхема оснащена оптоизолированным диагностическим выходом типа “открытый коллектор”. Все это позволяет применять данный драйвер для управления IGBT- и MOSFET- транзисторами, работающими в цепях с высокой индуктивной нагрузкой (например, в мощных инверторах), использую минимальное количество внешних элементов. Подробное описание работы схем рассмотрено в руководстве по применению.
Рекомендованная схема включения
Минимизация значений задержки распространения (tpHL, tpLH не более 150нс) и отклонения задержек (|tpHL-tpLH|, 80нс), гарантированных во всем диапазоне рабочих температур (-40…+110°С) способствуют сокращению “мертвого времени” (Dead-time), повышая эффективность преобразователей инверторного типа.
Дополнительно следует отметить высокую надежность устройства, обеспеченную высоким уровнем подавления синфазных помех (CMR) до ±35 кВ/мкс, а так же низкий уровень потребления (3.5 мA), который позволяет уменьшить емкость и габариты bootstrap-конденсатора (CBOOT) в верхнем плече инвертора.
Основные параметры TLP5214:
Параметр |
Обозначение |
Единицы измерения |
Новый продукт |
TLP5214 |
|||
Корпус |
- |
SO16L, |
|
Пиковый выходной ток (макс) |
IOP |
А |
±4 |
Диапазон рабочих температур |
Topr |
°С |
-40…+110 |
Диапазон напряжения питания |
VCC |
В |
15…30 |
Ток потребления (макс) |
ICC |
мА |
3.5 |
Ток срабатывания (макс) |
IFLH |
мА |
6 |
Задержка распространения (макс) |
tpLH, tpHL |
нс |
150 |
Отклонение задержки распространения (макс) |
|tpLH-tpHL| |
нс |
80 |
Напряжение изоляции в течении 1 минуты (мин.) |
BVs |
В (ср. кв.) |
5000 |
Уровень подавления синфазных помех, (мин) |
CMR |
кВ/мкс |
35 |
Защитные функции: |
|||
Обнаружения десатурации IGBT, (тип.) |
VDESAT |
B |
6.5 |
“Мягкое” выключения IGBT, (тип.) |
tDESAT(10%) |
мкс |
3.5 |
Подавления эффекта Миллера, (тип.) |
VtClamp |
В |
3.0 |
Блокировки выхода при пониженном напряжении, (тип.) |
VUVLO + |
В |
11.6 |
VUVLO - |
В |
10.3 |
|
UVLOHYS |
В |
1.3 |
Доступность:
Драйверы TLP5214 находится в массовом производстве и доступны под заказ через официального дистрибьютора компании Toshiba Semiconductor фирму МТ-Систем.
Ресурсы: