Главная / Новости / Новости "Новые продукты" / SSM3K56ACT, SSM3J56ACT: миниатюрные (1x0.6мм) N- и P- канальный MOSFET-транзисторы с относительно высоким током стока (1.4А) компании Toshiba Semiconductor

SSM3K56ACT, SSM3J56ACT: миниатюрные (1x0.6мм) N- и P- канальный MOSFET-транзисторы с относительно высоким током стока (1.4А) компании Toshiba Semiconductor

31.08.2015 | Новые продукты

               

Компания МТ-Систем предлагает разработчикам портативных устройств SSM3K56ACT, SSM3J56ACT – новые 20В сверхминиатюрные N- и P- канальный MOSFET-транзисторы  с относительно высоким током стока (1.4А) компании Toshiba Semiconductor®.

Оба транзистора выпускаются в корпусе SOT-883 (CST3) в габаритах всего 1х0.6 мм:

 

Чертеж корпуса SOT-883

 

Отличительные черты:

  • Миниатюрный корпус SOT-883 (CST3): 1.0x0.6 мм;
  • Относительно высокий ток стока: ID=1.4А;
  • Низкая входная емкость: Сiss=55пкФ (SSM3K56ACT);
  • Низкое сопротивление открытого канала:
    • RDS(on)=186мОм макс. @VGS=4.5В (SSM3K56ACT);
    • RDS(on)=310мОм макс. @VGS=-4.5В (SSM3J56ACT);
  • Быстрое включение: ton=5.5нс;
  • Максимальное напряжение сток-исток: VDSS=20В;
  • Максимальное напряжение затвор-исток: VGSS=±8В.

 

Сравнительные характеристики SSM3K56ACT и SSM3J56ACT:

Модель

Тип канала

Предельные рабочие характеристики

RDS(ON) тип. [мОм]

Ciss
тип.
[пкФ]

ton
тип.
[нс]

toff
тип.
[нс]

Корпус

VDSS
[В]

VGSS
[В]

ID
[А]

|VGS|=
1.2В

|VGS|=
1.5В

|VGS|=
1.8В

|VGS|=
2.5В

|VGS|=
4.5В

SSM3K56ACT

N

20

±8

1.4

-

360

290

230

186

55

5.5

8.5

SOT-883
(1.0×0.6мм)

SSM3J56ACT

P

-20

±8

-1.4

770

560

470

380

310

100

8

26

SOT-883
(1.0×0.6мм)

    Доступность:

    Транзисторы находятся на стадии подготовки к массовому производству. Для заказа образцов обращайтесь в фирму МТ-Систем – официального дистрибьютора компании Toshiba Semiconductor.