IXYS представляет GigaMOS TrenchT2™ - мощные силовые MOSFET-ключи в низкопрофильных DE и SMPD-корпусах.

Корпорация IXYS объявляет о выпуске мощных MOSFET-ключей IXTZ550N055T2, IXFZ520N075T2 и MMIX1F520N075T2, расширяющих линейку GigaMOS TrenchT2™. Данные устройства сочетают превосходные токовые характеристики линейки IXYSGigaMOSTrenchT2™ и улучшенные электрические, тепловые и механические параметры технологии низкопрофильных устройств.

Ключи IXTZ550N055T2 и IXFZ520N075T2 реализованы в корпусах DE475, а ключ MMIX1F520N075T2 –в новом мощном SMPD-корпусе.

Совокупность низкопрофильного корпусирования и проработанной силовой части позволила создать компактные мощные MOSFET-ключи с рабочими напряжениям до 250В, токами до 550А и минимальной площадью монтажа. В ключах GigaMOSTrenchT2™ была использована переработанная IXYS технология TrenchT2™, отличающаяся увеличенной плотностью носителей в канале и исключительно низким значением сопротивления открытого канала (R_DS_{_on}<1мОм), а результате - большей мощностью, лучшей проводимостью и эффективностью ключа.

Использование MOSFET-ключей из линейки IXYS GigaMOSTrenchT2™ позволяет упростить силовую и драйверную части, сократить общее количество элементов в устройстве, повысить надёжность решения и снизить стоимость.

Линейка GigaMOSTrenchT2™ мощных MOSFET-ключей представлена двумя направлениями:

· бюджетные TrenchT2™ ключи,

· улучшенные TrenchT2 HiPerFET™ ключи.

Ключи IXFZ520N075T2 и MMIX1F520N075T2, построенные с применением технологии HiPerFET™ выдерживают большие значения напряжения и отличаются повышенной мощностью и эффективностью.

Разработанные IXYS корпуса DE-серии отличаются низкой индуктивностью, высокой мощностью и плотностью монтажа.

Высота ключей IXTZ550N055T2 и IXFZ520N075T2 в низкопрофильных корпусах DE475 составляет 3.175 мм, ширина - 40.6 мм, длина - 19.56 мм, вес – 3 гр. Это в десять раз меньше, чем вес популярного ключа в корпусе SOT-227 и в 5 раз меньше по объёму при лучших мощностных характеристиках.

Ключ MMIX1F520N075T2 в SMPD-корпусе (высота 5.3 мм, длина 24.8 мм, ширина 32.3 мм) при массе 8 гр. в четыре раза легче стандартного SOT-227, в три раза компактнее и также отличается большей мощностью.

Ключи GigaMOSTrenchT2™ построены на кремниевой подложке по технологии DCB, активно развиваемой IXYS. Совпадение теплового расширения кремния и DCB-керамики минимизирует механическое напряжение в кристалле и подложке, обусловленное токовой динамикой и термоциклированием, что положительно влияет на надежность устройства. Применение технологии DCB позволило получить рекордно высокие значения теплопроводности «кристалл-теплоотвод» в сочетании с отличной электрической изоляцией теплоотводящего основания устройства от токоведущих частей:

· предельное напряжение изоляции «кристалл-теплоотвод» - до 2,5 кВ,

· тепловое сопротивление «кристалл-теплоотвод» - не более 0,25 °/Вт,

· допустимая мощность - до 600 Вт,

· температура кристалла - до 175 °С.

Целевым применением ключей GigaMOSTrenchT2™ являются:

· DC/DC-преобразователи,

· инверторы солнечных батарей,

· источники бесперебойного питания,

· системы индукционного нагрева,

· электровелосипеды и электромобили,

· системы управления электроприводом,

· мощные системы зарядки батарей,

· синхронные выпрямители,

а также прочие задачи силовой электроники.

Информация о ключах IXTZ550N055T2, IXFZ520N075T2 и MMIX1F520N075T2 доступна по приведенным ссылкам и на сайте производителя.

Фирма MT-систем является официальным дистрибьютором IXYS на территории России.

Каталог компонентов

Линии поставок

IXYS представляет GigaMOS TrenchT2™ - мощные MOSFET в низкопрофильных DE и SMPD-корпусах