IXYS выпускает ISOPLUS i4™ решение: MOSFET-транзистор и SiC-диод в едином изолированном корпусе

Корпорация IXYS объявляет об успешной интеграции технологии на основе карбида кремния (SiC) и новейшей технологии «Super Junction» MOSFET в едином удобном для пользователя устройстве, обладающем повышенной предельной плотностью мощности и повышенной эффективностью в таких приложениях как источники питания с быстрой коммутацией и инвертеры солнечных батарей.
 “В настоящий момент разработчики высокочастотных высокоэффективных систем вынуждены рассматривать применение отдельных дискретных устройств, зачастую от различных поставщиков, что усложняет конфигурацию устройства и увеличивает длительность проектирования. Линейка изделий MKE, выпускаемых IXYS, эффективно объединяет эти технологии в одном устройстве, благодаря чему уменьшается паразитная индуктивность и связанные с ней потери”, - утверждает Брэдли Грин, вице-президент IXYS по международным продажам, ‑ “Запатентованный нами конструктив ISOPLUS i4™ основывается на технологии DCB (Direct Cooper Bond), за счет чего обладает высокой надежностью. Устройство содержит в себе MOSFET-транзистор и SiC‑диод, что уменьшает требования к топологии силового коммутирующего узла. Решение получается более компактным, а это, в свою очередь, не только уменьшает потери, но и бросает вызов традиционным ограничениям на размер источника питания. Новая линейка устройств отличается меньшим тепловым сопротивлением и меньшим весом по сравнению с альтернативными решениями, которые используют более тяжелые медные шины и большие модули”.
Первый продукт в линейке MKE устройств - ультрабыстрый «boost‑chopper» модуль, содержащий COOLMOS® MOSFET-транзистор и boost-диод, интегрированные в корпусе ISOPLUS i4™.
Технология ISOPLUS™ предлагает разработчику дискретный корпус с изолированным основанием, сочетающим все преимущества технологии DCB: низкое тепловое сопротивление, более высокая надежность в цикле включения и выключения питания по сравнению неизолированными решениями и с решениями, выполненными на медной подложке по стандартной технологии.
Примером данной технологии является устройство MKE11R600DCGFC, объединяющее MOSFET COOLMOS® на 600В и SiC‑диод на 12A и 600V в «boost-chopper» схеме, которая является одной из наиболее популярных при построении узлов корректоров коэффициента мощности (PFC) для высокочастотных приложений.
Из-за отсутствия инжекции неосновных носителей зарядов в SiC, у встроенного boost‑диода отсутствует механизм обратного восстановления, что позволяет достичь наибольшей эффективности и наименьших потерь переключения.
Использование технологии ISOPLUS™ позволяет расположить MOSFET и boost‑диод очень близко друг к другу и таким образом минимизировать паразитную индуктивность.
Корпус изделия оптимизирован для удобства использования за счет специфического порядка следования выводов.

Подробная техническая документация доступна по ссылке или на сайте производителя.

Компания МТ-систем является официальным дистрибьютором IXYS на территории России