Идеальное решение для построения матричного инвертора, транзисторы с симметричной характеристикой обратного напряжения.
Reverse Blocking IGBTs транзисторы - транзисторы способны выдерживать одинаково высокое прямое и обратное напряжение.
Для обеспечения работы IGBT транзистора в цепях переменного тока последовательно с коллектором транзистора необходим внешний диод. Решение на Reverse Blocking IGBTs транзисторе исключает необходимость во внешнем последовательном диоде, при этом потери проводимости будут меньше чем в схеме с внешним диодом.
PartNumber |
Vces (V) |
Ic, T=90°C (A) |
Vce(sat) (V) |
tftyp (ns) |
tftyp (ns) |
Package |
---|---|---|---|---|---|---|
IXRP15N120 | 1200 | 15 | 2,5 | 41 | 300 | TO-220 |
IXRA15N120 | 1200 | 15 |
2,5 |
41 | 300 | TO-263 |
IXRH25N120 | 1200 | 25 | 2,3 | 46 | 2100 | TO-247 |
IXRH40N120 | 1200 | 35 | 2,3 | 46 | 2100 | TO-247 |
Данные транзисторы идеально подходят для построения схем матричных преобразователей и работы в цепях переменого тока обеспечивая при этом значительное снижения потерь и упрощение конструкции за счет уменьшения количества элементов.
Техническая документация доступна по ссылкам в таблице и на сайте производителя.
По вопросам заказа образцов, поставок и технической поддержки обращайтесь на Power@MT-system.ru.
документация