Главная / Новости / Новости "IXYS" / IXYS представила уникальные Reverse Blocking IGBTs транзисторы

IXYS представила уникальные Reverse Blocking IGBTs транзисторы

01.10.2012 | IXYS

Идеальное решение для построения матричного инвертора, транзисторы с симметричной характеристикой обратного напряжения.

Reverse Blocking IGBTs транзисторы - транзисторы способны выдерживать одинаково высокое прямое и обратное напряжение.

Для обеспечения работы IGBT транзистора в цепях переменного тока последовательно с коллектором транзистора необходим внешний диод. Решение на Reverse Blocking IGBTs транзисторе исключает необходимость во внешнем последовательном диоде, при этом потери проводимости будут меньше чем в схеме с внешним диодом. 

PartNumber

Vces

(V)

Ic, T=90°C

(A)

Vce(sat)

(V)

tftyp

(ns)

tftyp

(ns)

Package
IXRP15N120 1200 15 2,5 41 300 TO-220
IXRA15N120 1200 15

2,5

41 300 TO-263
IXRH25N120 1200 25 2,3 46 2100 TO-247
IXRH40N120 1200 35 2,3 46 2100 TO-247

 

Данные транзисторы идеально подходят для построения схем матричных преобразователей и работы в цепях переменого тока обеспечивая при этом значительное снижения потерь и упрощение конструкции за счет уменьшения количества элементов.

 

Техническая документация доступна по ссылкам в таблице и на сайте производителя.

По вопросам заказа образцов, поставок и технической поддержки обращайтесь на Power@MT-system.ru.

 

документация