Главная / Новости / Новости "IXYS" / Обновление линейки 1200В XPT IGBT транзисторов IXYS.

Обновление линейки 1200В XPT IGBT транзисторов IXYS.

25.12.2012 | IXYS

 

Компания IXYS расширила линейку дискретных XPT IGBT транзисторов. Для новых IGBT транзисторов характерны меньшие значения энергии управления (по сравнению с NPT IGBT) и способность переносить условия «жесткого переключения» на частоте до 50 кГц. 
Новые транзисторы, отличаются низким напряжением насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat) от 2.9 В), низким уровнем энергии выключения (Eoff от 0.66 мДж при Tj = 25 °С) и низким зарядом затвора (Qg, до 85 нКл), а в результате - меньшими динамическими и статическими потерями. Их использование не требует применения дорогих и сложных драйверных схем, что дополнительно снижает стоимость решения и повышает надёжность работы. Данные транзисторы хорошо совместимы с драйверами от IXYS IC.
 
 
 
Для мощных применений зачастую требуется параллельное включение IGBT-транзисторов. Благодаря положительной зависимости напряжения коллектор-эмиттер VCE(sat) от температуры новые IGBT IXYS идеально подходят для параллельного включения.
 
Транзисторы сохраняют работоспособность в условиях лавинного пробоя (dynamic avalanche ratings) и имеют прямоугольную область безопасной работы при выключении (RBSOA).
Область безопасной работы при выключении (RBSOA)
 
Область RBSOA расширена до напряжения запирания устройства, что дополнительно характеризует надёжность  XPT IGBT IXYS.
 
Транзисторы доступны со встроенным антипараллельным сверхбыстрым HiPerFRED™ диодом или Sonic-FRD™ диодом IXYS (Sonic-FRD™ - суффикс H1, например IXYN82N120C3H1, HiPerFRED™-суффикс D1, например IXYH40N120C3D1). Сочетание технологий XPT™ и Sonic-FRD™ или HiPerFRED™ позволяет снизить потери выключения транзистора. При этом мягкое восстановление встраиваемого Sonic-FRD™ диода позволяет XPT IGBT включаться при очень высоких di/dt при любой температуре и даже в случае малых токов, а также обеспечивает снижение уровня электромагнитных помех, независимо от уровня коммутируемых токов.
 
Особенности:
 
  • Частота до 50 кГц, малые потери
  • Положительный температурный коэффициент Uкэ
  • Быстродействующий встроенный диод HiPerFRED™
  • Встроенный диод с мягким восстановлением Sonic-FRD™
  • Работоспособность в лавинном пробое
  • Рабочая температура до 175°С
  • Прямоугольная область безопасной работы RBSOA
  • Способность выдерживать токи короткого замыкания
  • Стандартные корпуса

Наименование

Ic110
Tc=110°C
(A)

Vce(sat)
Tj=25°C
(V)

tfi
Tj=25°C
(ns)

Eoff
Tj=150°C
(mJ)

RthJC
max
Tj=25°C
(°/W)
Корпус
IXYH40N120C3D1 64 4 38 0,7 0,26 TO-247
IXYH30N120C3

66

 4 88 0,9 0,3 TO-247
IXYH50N120C3D1 90 4 60 1,4 0,2 TO-247
IXYH40N120B3 96 2,9 206 2,05 0,26 TO-247
IXYN82N120C3H1 105 3,2 95 3,7 0,25 SOT-227
IXYN100N120C3H1 134 3,5 125 3,55 0,18 SOT-227
IXYK120N120C3 220 3,5 120 5,3 0,1 TO-264
IXYX120N120C3 220 3,5 120 5,3 0,1 PLUS247 

 

Применение:

  • Силовые инверторы
  • Источники питания бесперебойного питания
  • Электропривод
  • Импульсные источники питания
  • Корректоры коэффициента мощности
  • Зарядные устройства
  • Сварочные аппараты
  • Мощные электронные пуско-регулирующие аппараты

 

Техническая документация доступна по ссылкам в таблице и на сайте производителя.

По вопросам заказа образцов, поставок и технической поддержки обращайтесь на Power@MT-system.ru.

документация