Главная / Новости / Новости "" / TTC014 – новый высоковольтный биполярный NPN-транзистор с высоким коэффициентом усиления по току hFE(min) = 100 компании Toshiba Semiconductor

TTC014 – новый высоковольтный биполярный NPN-транзистор с высоким коэффициентом усиления по току hFE(min) = 100 компании Toshiba Semiconductor

17.02.2014 |

TTC014 – новый высоковольтный биполярный NPN-транзистор с высоким коэффициентом усиления по току
hFE(min) = 100.

В новом транзисторе TTC014 компании Toshiba Semiconductor за счет применения современных полупроводниковых технологий удалось достичь оптимального компромисса между высоким напряжением коллектор-эмиттер (800 В) и высоким значением коэффициента усиления по постоянному току hFE(min) = 100.

DPAK

Отличительные черты:

  • Напряжение коллектор-эмиттер VCE=800 В
  • Ток коллектора IC=1 A
  • Коэффициент усиления hFE = 100 … 200 (VCE=5V, IC=0.1A, Ta=25°C)
  • Корпус DPAK (TO-252)

Доступность:

Транзисторы TTC014 находятся в массовом производстве и доступны для заказа.

Ресурсы:

 Описание транзистора TTC014
Даташит на транзистор TTC014
 Заказать образцы  транзистора TTC014