Сдвоенные N-канальные MOSFET транзисторы в корпусе SO8

Компания Texas Instruments представила два новых N-канальных MOSFET транзистора на 60 В в корпусе SO8 - CSD88537ND и CSD88539ND.

Структурная схема транзистора

Данный корпус является удобным для множества применений ввиду своей простоты и распостранённости. Одновременно с этим сдвоенный транзистор удобно применять для построения сильноточных выходных каскадов - DC/DC-преобразователя, плеча инвертора, просто комутации мощной нагрузки и т.п. Тем самым упрощаяется разводка печатной платы и построение системы охлаждения.

Напряжение 60 В является рекомендуемым для автомобильного примения, т.к. обеспечивает защиту от скачков и выбросов напряжения в бортовой сети.

Представленные транзисторы pin2pin совместимы. Основным отличием транзисторов является значение максимального тока - 62 и 46 А соответственно. Полные параметры транзисторов представлены в таблице.

Таблица 1: параметры транзисторов

Транзисторы доступны для заказа образцами.

Ресурсы:

• Документация на CSD88537ND
• Документация на CSD88539ND