Главная / Новости / Новости "Texas Instruments" / CSD19506KCS и CSD19536KCS – новые 80 В и 100 В MOSFET-транзисторы с самым низким RDS(on) в мире!

CSD19506KCS и CSD19536KCS – новые 80 В и 100 В MOSFET-транзисторы с самым низким RDS(on) в мире!

25.03.2014 | Texas Instruments

Фирма МТ-Систем предлагает разработчикам два новых MOSFET-транзистора CSD19506KCS и CSD19536KCS компании Texas Instruments® (TI).

 

Новые N-канальные MOSFET-транзисторы CSD19506KCS и CSD19536KCS в корпусе TO-220 c напряжением сток-исток 80 В и 100 В соответственно, обладают самым низким RDS(on) в мире, обеспечивая превосходную добротность, т.е. без ущерба заряду затвора.

 

Силовые полевые ключи CSD19506KCS и CSD19536KCS идеально подойдут для источников питания, систем управления двигателями и прочих промышленных применений.

CSD19506KCS и CSD19536KCS расширяют портфолио MOSFET-транзисторов, компании TI, выполненных на основе инновационной технологии NexFET®. Это технология охватывающая диапазон рабочих напряжений от 40 до 100 В, основана на предыдущей высокоэффективной технологии с напряжением от 12 до 30 В, позволила компании TI, предоставить разработчикам общее универсальное решение для более широкого круга задач.

Полные параметры транзисторов представлены в таблице.

 

Таблица 1: Основные парамметры MOSFET-транзисторов 

Параметр CSD19506KCS CSD19536KCS
Vds, В 80 100
Rds(on) @ VGS=10V (макс), мOм 2.3 2.7
ID (макс), A 236 224
Id @ TC=25°C (макс), A 273 259
QG (тип), нК 20 20
Корпус TO-220-3 TO-220-3
Спецификация

 

Доступность:

Транзисторы находятся в массовом производстве. Для заказа обращайтесь в фирму МТ-Систем:
по телефону: +7(812)325-36-85 или по электронной почте: ti@mt-system.ru