Фирма МТ-Систем сообщает разработчикам мощных инверторных преобразователей, об анонсе новой разработки компании On_Semiconductor® - NXH80T120L2Q0 : IGBT-модуля трехуровневого инвертора с T-образным мостом. Новый модуль предназначен для мощных инверторов с высоким КПД и меньшим содержанием неосновных гармоник в выходном синусоидальном сигнале по сравнению с двухуровневыми инверторами. Т.о. инвертор построеный с помощью этого IGBT-модуля требует минимального количества внешних компонент и выходной фильтр минимальных габаритов. |
Внутренняя схема IGBT-модуля трехуровневого инвертора с T-образным мостом |
Чертеж корпуса Q0PACK |
Основные характеристики:
Доступность:
IGBT-модули трехуровневого инвертора с T-образным мостом NXH80T120L2Q0, находятся в стадии подготовки к массовому производству. За дополнительной информацией обращайтесь в фирму МТ-Систем – официального дистрибьютора компании On Semiconductor:
E-mail: onsemi@mt-system.ru
Тел. +7(812)325-36-85
Спецификация IGBT-модуля NXH80T120L2Q0