Главная / Новости / Новости "ON Semiconductor" / NTMFS4Hxxx и NTTFS4Hxxx новое семейство высокоэффективных 25 В MOSFET транзисторов компании ON Semiconductor

NTMFS4Hxxx и NTTFS4Hxxx новое семейство высокоэффективных 25 В MOSFET транзисторов компании ON Semiconductor

21.05.2014 | ON Semiconductor

 

Фирма МТ-Систем информирует инженеров о том, что 20.05.2014 компания On Semiconductor® представила на выставке Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) в Нюрнберге новые семейства NTMFS4Hxxx и NTTFS4Hxxx высокоэффективных 25 В MOSFET транзисторов.

Транзисторы новых серий NTMFS4Hxxx и NTTFS4Hxxx идеально подходят для импульсных DC/DC конвертеров с высокой удельной мощностью и синхронных выпрямителей (SR), т.к. обладают лучшими в классе низковольтных транзисторов сопротивлением открытого канала RDSon: 0.7...4.8 мОм и входной емкостью СISS: 5693...771 пФ, обеспечивая минимальную совокупность коммутационных и статических потерь.

Транзисторы серии NTMFS4Hxxx выпускаются в корпусе DFN5 5x6, 1.27P (SO8-FL), имеются исполнения со встроенными диодами Шоттки: NTMFS4HxxxF.

Транзисторы серии NTTFS4Hxxx выпускаются в корпусе WDFN8 3.3x3.3, 0.65P (u8-FL).

 

DFN5 5x6, 1.27P (SO8-FL)
WDFN8 3.3x3.3, 0.65P (u8-FL)

Технические характеристики

Транзистор

IDmax, при 25°С

[А]

RDS(on)@10 В max

[мОм]

QG(TOT)@10 В typ

[нКл]
NTMFS4H01N 334 0.7 85
NTMFS4H01NF
NTMFS4H02N 193 1.4 38.5
NTMFS4H02NF
NTTFS4H05N 94 3.3 18.9
NTTFS4H07N 66 4.8 12.4

: Спецификация : Заказать образцы

Доступность:

Транзисторы находятся в массовом производстве и доступны под заказ.