Главная / Новости / Новости "ON Semiconductor" / Новые высокоэффективные 1200-вольтовые IGBT транзисторы ON Semiconductor

Новые высокоэффективные 1200-вольтовые IGBT транзисторы ON Semiconductor

29.10.2012 | ON Semiconductor

Компания ON Semiconductor, расширила линейку высокоэффективных 1200-вольтовых IGBT транзисторов серии NGBTxxN120 представив 9 новых элементов.

Обладая превосходными характеристиками, новые IGBT транзисторы повышают эффективность переключения, уменьшают мощность рассеяния и улучшают надежность системы. Расширение линейки IGBT транзисторов ON Semiconductor, включающей в себя более 30 элементов, благодаря новым элементам позволяет увеличить доступные номинальные значения тока до 40 Ампер.

Первые в группе IGBT транзисторов NTGB40N120FLWG, NGBT25N120FLWG и NGBT15N120FLWG, благодаря новой Trench технологии, показывают надежную и эффективную работу в высокочастотных приложениях. Низкие потери при переключении и встроенный быстро восстанавливающийся диод обеспечивают их высокоэффективную работу в блоках бесперебойного питания, сварочных аппаратах и других приложениях. Данные транзисторы рассчитаны на номинальный ток 40, 25 и 15 А соответственно. Все три транзистора обеспечивают устойчивую работу в диапазоне частот 10-40 кГц, при этом обладают низким напряжением насыщения (VCEsat) и низким зарядом затвора (Qg), а встроенный быстрый диод обеспечивает быстрое восстановление и минимальные потери при переключении, что обеспечивает низкое рассеивание мощности. Эти транзисторы рассчитаны на рабочее напряжение -55 - + 150 °C.

Вторая группа новых транзисторов так же расширяет портфель Trench FS IGBT устройств с рабочим номинальным током до 40 Ампер – NGBT30N120LWG и NGBT40N120LWG. Транзисторы так же обладают низким напряжением насыщения (VCEsat), имеют высокоэффективную защиту от короткого замыкания, рабочую частоту 2-20 кГц и низкий заряд затвора (Qg). Эта группа транзисторов рассчитана в первую очередь для схем управления моторов. Дополнением этих транзисторов является NGBT30N120IHLWG, NGBT40N120IHLWG, NGBT20N120IHSWG и NGBT30N120IHSWG, которые способны гасить токи при переключении индуктивных нагрузок на частотах 15-30 кГц.

Доступность:

Образцы IGBT транзисторов доступны для заказа.

Ресурсы:

Описание NGBTxxN120
Заказать образцы NGBTxxN120