Компания ON Semiconductor расширила портфель датчиков внешней освещенности, представив две новые микросхемы – NOA1212 и LV0111CF.
Микросхема NOA1212 низкопотребляющего датчика внешней освещенности (Ambient Light Sensor – ALS) имеет аналоговый токовый выход и режим пониженного энергопотребления. Потребление микросхемы в активном режиме составляет менее 8 мкА, при нулевой освещенности, 18 мкА при 100 Люкс и 200 пА собственное потребление тока (режим Power Down) при всех уровнях освещенности. NOA1212 способна работать в диапазоне напряжений от 2 В до 5,5 В. В микросхеме применена КМОП технология чувствительного элемента разработанная компанией ON Semiconductor, включающая в себя динамическую компенсацию темнового тока обеспечивающего высокий коэффициент сигнал/шум (SNR) и широкий динамический диапазон (DR) во всем диапазоне рабочих температур. Светофильтр обеспечивает реакцию датчика схожую с человеческим зрением. Совместная работа светофильтра и чувствительного элемента обеспечивают точную работу датчика.
Микросхема LV0111CF обладая меньшими размерами корпуса в сравнении с NOA1212, в первую очередь ориентирована на применение в компактных и портативных устройствах. ALS LV0111CF имеет рабочий диапазон напряжений от 2,3 В до 5,5 В (6 В максимально), аналоговый токовый выход, режим пониженного энергопотребления, и ток потребления в активном режиме 75 мкА, до 10 нА в режиме Sleep при нулевой освещенности и 0,35 мА при 10 Люкс.
Основные характеристики NOA1212:
Основные характеристики LV0111CF:
Средства разработки:
Для тестирования микросхем датчиков освещенности, компания ON Semiconductor предлагает ряд отладочных средств информацию, по которым можно найти по ссылкам указанным ниже.
Доступность:
Микросхемы датчиков NOA1212 и LV0111CF находятся в массовом производстве и доступны для заказа.
Ресурсы: