Главная / Новости / Новости "ON Semiconductor" / NDD60NxxxU1: новая серия мощных 600В MOSFET транзисторов с RDSon (360…900мОм) компании ON Semiconductor

NDD60NxxxU1: новая серия мощных 600В MOSFET транзисторов с RDSon (360…900мОм) компании ON Semiconductor

23.05.2014 | ON Semiconductor

Фирма МТ-Систем предлагает инженерам новую серию NDD60NxxxU1 мощных 600 вольтовых MOSFET транзисторов с RDSon (360…900мОм) компании On Semiconductor®.

Серия NDD60NxxxU1 идеально подходит для использования в промышленных инверторах и мощных AC/DC преобразователях. Транзисторы новой серии прошли 100% лавинные испытания (100% Avalanche Tested) и имеют адекватные SPICE модели.

 

Транзисторы серии NDD60NxxxU1 выпускаются в трех различных бессвинцовых корпусах:

  • DPAK (T4G);
  • IPAK (-1G);
  • 3.5 mm IPAK (-35G).

1. Затвор (G)

2. Сток (D)

3. Исток (S)

4. Сток (D)

 

N-Канальный MOSFET

 

 

Корпуса транзисторов серии NDD60NxxxU1

 

Технические характеристики

Транзистор

IDmax, при 25°С

[А]

RDS(on)@10 В max

[мОм]

QG(TOT)@10 В typ

[нКл]
NDD60N360U1 11 360 26
NDD60N550U1 8.2 550 18
NDD60N745U1 6.6 745 15
NDD60N900U1 5.7 900 12

: Спецификация : Заказать образцы

Доступность:

Транзисторы серии NDD60NxxxU1 находятся в массовом производстве и доступны под заказ.