Главная / Новости / Новости "ON Semiconductor" / NCP5183: новый драйвер полумоста 600В/±4.3А компании ON Semiconductor®

NCP5183: новый драйвер полумоста 600В/±4.3А компании ON Semiconductor®

13.04.2017 | ON Semiconductor

МТ-Системс предлагает разработчикам силовой электроники новый высоковольтный драйвер полумоста NCP5183 компании ON Semiconductor®.

Большой пиковый ток драйвера (±4.3А) и высокое напряжение управляемых MOSFET транзисторов (до 600В) позволяют применять данный драйвер в широком спектре областей от мощных импульсных преобразователей и драйверов двигателей до усилителей класса D и электро-усилителей рулевого управления (EPS).

Новый драйвер NCP5183 имеют промышленно-стандартизированную цоколевку, и позволяет управлять переключением 2 мощных N-канальных полевых транзисторов напрямую, подключенных в схеме полумоста или независимо (верхний ключ и/или нижний ключ). Два независимых входа позволяют применять ИС NCP5183 в различных топологиях, таких как: полумост, ассиметричный полумост, преобразователи с активным демпфированием (active clamp) и полный мост.

Высокую надежность работы драйвера гарантирует встроенная схема защиты от пониженного напряжения (ULVO), высокая стойкость к фронтам (dV/dt Immunity) до ±50В/нс, высокое допустимое напряжение средней точки полумоста до -10В и низкая задержка вход-выход составляющая 120нс (типовое значение).

Интерфейс управления с логическими уровнями 3.3 и 5В позволяет подключать драйвер напрямую к большинству ШИМ-контроллеров и микроконтроллеров. Диапазон напряжения питания микросхемы драйвера составляет от 9 до 18В.

Микросхема NCV5183 соответствует всем высоким требованиям стандартам AEC Q100. Рабочий диапазон температур драйверов NCP5183 составляет от -40 до +125°C. Микросхемы выпускаются в корпусе SOIC-8.

Типовая схема применения и цоколевка NCP5183

 

Отличительные черты NCP5183:

  • Напряжение питания: 9…18В;
  • Выходной пиковый ток: ±4.3A;
  • Максимальное напряжение стока, управляемого транзистора до 600В;
  • Входы совместимы с TTL/CMOS логикой 3.3 и 5В;
  • Высокая стойкость к фронтам dV/dt до 50В/нс;
  • Допустимое напряжение средней точки полумоста до -10В;
  • Схема защиты от низкого напряжения (ULVO);
  • Типовое время задержки вход-выход: 120нс;
  • Автомобильное исполнение NCV5183, соответствие стандартам AEC Q100
  • Стандартная цоколевка;
  • Рабочий диапазон температур: -40…+125°C;
  • Корпус: SOIC-8.

 

Доступность:

 

Микросхемы NCP5183DR2G и NCV5183DR2G и доступны под заказ.
 

Спецификация NCP5183