Главная / Новости / Новости "ON Semiconductor" / NB3N51044 – новой высокоточный генератор с низкими фазовыми шумами для поддержки высокоскоростных интерфейсов Serial Rapid IO (SRIO) и PCI Express компании On Semiconductor

NB3N51044 – новой высокоточный генератор с низкими фазовыми шумами для поддержки высокоскоростных интерфейсов Serial Rapid IO (SRIO) и PCI Express компании On Semiconductor

09.06.2014 | ON Semiconductor

Компания On Semiconductor® расширила портфолио тактовых устройств и предлагает разработчикам систем беспроводных телекоммуникаций, систем обработки сигналов и быстродействующих мультипроцессорных систем, NB3N51044 микросхему высокоточного генератора для поддержки высокоскоростных интерфейсов Serial Rapid IO (sRIO) и PCI Express (PCIe).

Функциональная схема

 

Генератор NB3N51044 работает на частоте 100 (PCIe) или 125МГц (sRIO), частота выбирается с помощью логического входа F_SEL. Для работы генератора требуется кварцевый резонатор или внешний тактовый сигнал 25МГц, выбор источника тактового сигнала осуществляется с помощью логического входа REF_SEL. Генератор имеет четыре дифференциальных выхода совместимых с логическими уровнями HCSL/LVDS, которые могут индивидуально включаться/выключаться с помощью входов OE[3:0]. Устройство имеет вход сброса MR_OE#.  Генератор может работать в режиме делителя (÷4 или ÷5) в обход схемы ФАПЧ (PLL), при подаче на вход BYPAS логического сигнала высокого уровня.

 

Отличительные черты:

  • 4 дифференциальных выхода с крутыми фронтами, совместимы с логикой HCSL/LVDS с “3 состоянии” и индивидуальным управлением;
  • Выходная частота, выбираемая 100 или 125 МГц;
  • Режим делителя;
  • Вход общего сброса;
  • Совместим с PCIe1.0, PCIe2.0 и PCIe3.0;
  • Типовой среднеквадратичный фазовый джиттер (RMS Phase Jitter) при 125МГц: 0.2пс(1.875МГц-20МГц);
  • Пиковый джиттер (Peak Cycle−to−Cycle Jitter) (10 тыс. циклов) при 100МГц: 20пс
  • Фазовый шум при 100МГц:
    • 100Гц      −101дБ/Гц;
    • 1кГц        −123дБ/Гц;
    • 10кГц      −133дБ/Гц;
    • 100кГц    −136дБ/Гц;
    • 1МГц       −141дБ/Гц;
    • 10МГц     −155дБ/Гц;
  • Напряжение питания 3.3В±5%;
  • Индустриальный диапазон температур: -40…+85°С;
  • Функционально заменяет ICS841604I, имея лучшие параметры;
  • Корпус: TSSOP−28.

Доступность:

Микросхема NB3N51044DT находится в массовом производстве и доступна под заказ. 

 

Ресурсы: