N01S830 – новое ультра-низко-потребляющее (4мкА!!!) SINGLE/DUAL/QUAD SPI SRAM 1Мбит On Semiconductor

Фирма МТ-Систем предлагает разработчикам счетчиков, расходомеров, охранных систем и устройств с батарейным питанием, N01S830 микросхему СОЗУ емкостью 1Мбит с ультранизким потреблением (4 мкА) компании On Semiconductor®.

Новое СОЗУ организовано 128K x 8 (131,072 слов по 1 байту) и позволяет гибкую работу с массивом данных, предлагая гибкие режимы операций: пословный (word mode), постраничный (page mode) и пакетный (burst mode).

Память имеет 24 битную адресацию, старшие 7 разрядов не используются, т.о. производитель закладывает резерв к увеличению потенциального объема памяти до 16Мбит (2,097152 слов), с сохранением программной совместимости.

В пословном режиме, операция начинается с начального адреса (заданного в указателе), без инкремента указателя адреса.

В постраничном режиме, операция начинается с начального адреса, затем после чтения/записи слова указатель адреса инкрементируется. После того как указатель адреса достигнет конца страницы (размером 32 слова), следующим значением станет адрес ее начала.

В пакетном режиме, операция начинается с начального адреса, затем после чтения/записи слова указатель адреса инкрементируется. После того как указатель адреса достигнет конец массива памяти (1FFFFh), следующим значением станет адрес самой первой ячейки памяти (00000h).

N01S830 работает в широком диапазоне напряжения питания 2.5…5В, потребляя ультранизкие токи до 10мА в режиме операций и до 4мкА в режиме ожидания.

Последовательный интерфейс SPI может работать в однопроводном (Single), двухпроводном (Dual) и четырехпроводном (QUAD) режимах, с максимальной частотой 20МГц.

N01S830 выпускается в корпусе TSSOP-8 (3x4.4мм) и имеет два функциональных исполнения: 

• С выводом подключения батареи для сохранения данных при пропадании питания (BBU Version: N01S830BA);
• C входом HOLD для приостановки операций (HOLD Version: N01S830HA).

Функциональная схема

Микросхема N01S830BA может составить конкуренцию на рынке EEPROM, NOR FLASH, FRAM и MRAM  памяти с последовательным интерфейсом.

Не смотря на то, что SRAM не является энергонезависимой, во многих устройствах работают часы реального времени (встроенные в МК или в виде отдельной интегральной схеме), которые используют дополнительную батарею для поддержания работы. К тому же следует отметить, что типовое напряжение, при котором данные на микросхеме сохраняются, составляет всего 1В (не тестировалось на 100%).

Цена N01S830BA значительно ниже, чем на FRAM, примерно на 45% ниже, чем MRAM; на 4% ниже, чем на EEPROM последовательной памяти емкостью 1Мбит.

Число циклов стирания/записи:

• SRAM неограниченное число циклов;
• MRAM почти неограниченное 10¹⁶ (10 квадриллионов);
• FRAM почти неограниченное 10¹⁴ (100 триллионов);
• EEPROM число циклов составляет 10⁶ (миллион);
• NOR FLASH число циклов составляет 10⁵ (100 тысяч).

Сравнительные характеристики типов последовательной памяти:

Отличительные черты:

• Объем памяти 1Мбит (131,072 слов по 1 байту = 4096 страниц по 32 байта);
• Неограниченное число циклов записи;
• Напряжение питания 2.5…5В;
• Типовой ток потребления в режиме ожидания, не более 4 мкА;
• Ток потребления в режиме операций, не более 10 мА;
• Последовательный SINGLE/DUAL/QUAD SPI интерфейс;
• Максимальная тактовая частота 20МГц;
• Гибкие режимы операций чтения записи:
  • Пословный;
  • Постраничный;
  • Пакетный;
• Два функциональных исполнения:
• HOLD: C входом приостановки операций;
• BBU: С переключением на батарею при пропадании питания для сохранения данных;
• Индустриальный температурный диапазон: -40…+85°C;
• Корпус: TSSOP-8;

Доступность:

Микросхема N01S830HA находятся в массовом производстве и доступна под заказ. Модель N01S830BA готовится к выпуску и пока не доступна.

Ресурсы:

• Спецификация N01S830
• Заказать образцы N01S830HA