Главная / Новости / Новости "ON Semiconductor" / KAE-08151 – новая 8.1 Мп ПЗС-матрица с фото умножителем для получения качественных изображений в условиях слабой освещённости

KAE-08151 – новая 8.1 Мп ПЗС-матрица с фото умножителем для получения качественных изображений в условиях слабой освещённости

24.07.2017 | ON Semiconductor

Новый 8-мегапиксельный датчик изображения KAE-08151 относится к устройствам типа IT-EMCCD (Interline Transfer Electron Multiplication Charge Coupled Device – ПЗС матрица со строчно-кадровым переносом заряда с фото-умножителем), обеспечивающим очень высокую чувствительность (44мкВ/э), при крайне низком уровне шума (1 эВ ср.кв.), что и существующие 4- и 2-мегапиксельные KAE-04471 и KAE-02152/KAE-02150 устройства.

 

Новая матрица имеет диагональ 22 мм (оптический формат 4/3”) и напрямую нацелена на получение изображений высокого разрешения, в широком диапазоне освещённости от саб-люксового до яркого (динамический диапазон матрицы составляет 86 дБ). Новый корпус (CPGA-155), который включает теплоотвод (thermoelectric cooler, TEC) упрощает разработку системы охлаждения камеры, которая оптимизирует производительность, доступную с этих устройств.

Матрица KAE-08151 обеспечивает превосходную однородность и частотно-контрастную характеристику (Modulation Transfer Function, MTF) и обладает глобальным затвором. Матрица KAE-08151 доступна в монохромном и цветном (фильтр Байера) исполнениях.

 

Отличительные черты:

  • Глобальный затвор
  • Превосходная однородность и MTF
  • Разрешение: 8.1 Мп
  • Количество активных пикселей: 2856 (Г) × 2856 (В)
  • Размеры пикселя: 5,5 х 5,5 мкм
  • Размеры активной области: 15.71 мм (Г) × 15.71 мм (В)
  • Диагональ: 22.22 мм
  • Оптический формат: 4/3″
  • Число выходов чтения: 1 / 2 / 4
  • Ёмкость ячейки: 20000 э
  • Выходная чувствительность: 44 мкВ/э
  • Квантовая эффективность:
    • Монохромной матрицы: 50%
    • Цветной матрицы, R / G / B: 33% / 41% / 43%
  • Шум, при чтении (20 МГц):
    • В режиме Normal (1× Gain): 9 э
    • В режиме Intra-Scene (20× Gain): <1 э
  • Темновой ток (при 0°С):
    • Отдельного фотодиода: 0.1 э/с
    • VCCD-регистра: 6 э/с
  • Динамический диапазон:
    • В режиме Normal (1× Gain): 66 дБ
    • В режиме Intra-Scene (20× Gain): 86 дБ
  • Эффективность переноса заряда: 0,999999
  • Устранение потери четкости изображения: >1000 X
  • Коэффициент подавления смазывания (smear): -100дБ
  • Лаг изображения (запаздывание): <1 э
  • Кадровая частота:
    • В режиме Normal (1× Gain): 14 к/с (40 МГц)
    • В режиме Intra-Scene (20× Gain): 8 к/с (20 МГц)
  • Корпус CPGA-155 с теплоотводом.

 

Для заказа продукции требуется оформление лицензии на экспорт от Министерства торговли США. По вопросам приобретения образцов и партий микросхем и за дополнительной информацией по микросхемам компании ON Semiconductor®, обращайтесь, пожалуйста, в ООО “МТ-Системс” по телефонам: +7 (812) 325-36-85, 786-98-70 или по электронной почте: onsemi@mt-system.ru.

 

 

Спецификация KAE-08151