600 вольтовые MOSFET транзисторы от ON Semi

Компания ON Semiconductor объявила о начале производства высоковольтных (600 V) MOSFET транзисторов на токи 4, 6 и 10 A в различных корпусах. Все транзисторы имеют низкое сопротивление канала в открытом состоянии и ESD защиту затвора. Основные области применения - сетевые источники питания, балласты люменисцентных ламп и LED драйверы.

Основные характеристики:

1. 04N60Z серия

• Drain−to−Source Voltage V_DSS - 600 V
• Continuous Drain Current I_D - 4 A
• R_DS(ON) (TYP) @ 2 A - 1.8 mΩ
• Total Gate Charge (Qg) - 19 nC
• Корпуса - TO−220FP, TO−220AB, DPAK, IPAK

2. 06N60Z серия

• Drain−to−Source Voltage V_DSS - 600 V
• Continuous Drain Current I_D - 6 A
• R_DS(ON) (TYP) @ 3 A - 0.98 mΩ
• Total Gate Charge (Qg) - 31 nC
• Корпуса - TO−220FP, TO−220AB

3. 10N60Z серия

• Drain−to−Source Voltage V_DSS - 600 V
• Continuous Drain Current I_D - 10 A
• R_DS(ON) (TYP) @ 5 A - 0.65 mΩ
• Total Gate Charge (Qg) - 47 nC
• Корпуса - TO−220FP, TO−220AB