Samsung начинает серийное производство высокоэффективной встроенной многокристальной памяти.

Компания Samsung Electronics Co., Ltd, мировой лидер в области современных полупроводниковых технологических решений, сегодня объявила о начале серийного производства встроенной памяти на базе многокристальных пакетов (eMCP), которая предназначена для быстро растущего сегмента смартфонов начального и среднего уровня. Линейка новых решений памяти eMCP от компании Samsung включает модули памяти различной плотности: в данных устройствах используется память LPDDR2 DRAM, произведенная с использованием технологического процесса класса 30 нм*, и флэш-память NAND на базе технологического процесса класса 20 нм.

«Так как для смартфонов и планшетных компьютеров требуется все более продвинутое программное обеспечение и все большие объемы памяти, ожидается, что производители мобильных устройств будут внедрять решения на базе многокристальной памяти на протяжении всего 2012 года, что позволит повысить производительность устройств и плотность записи данных, – заявил Мьюнгхо Ким, вице-президент подразделения маркетинга решений памяти, Device Solutions, Samsung Electronics. – Компания Samsung будет стимулировать рост рынка мобильных устройств, расширяя сегмент продвинутых решений памяти: в 2012 году планируется значительно расширить линейку решений eMCP».

Новые решения памяти eMCP обеспечат для смартфонов начального и среднего уровня большую производительность и более продолжительную работу от аккумулятора. В то же время производители мобильных устройств смогут упростить процесс проектирования.

Решения встроенной памяти MCP от компании производятся в пакетах, которые включают модули 4ГБ e-MMC™ (Embedded MultiMediaCard™) на базе флэш-памяти NAND класса 20 нм для хранения данных и новые модули LPDDR2 DRAM класса 30 нм с объемом 256 МБ, 512 МБ или 768 МБ, которые будут обеспечивать высокую производительность в мобильных устройствах (каждый модуль будет соответственно иметь объем 2 ГБ, 4 ГБ и 6 ГБ).

Чип LPDDR2 DRAM класса 30 нм в новых модулях eMCP играет ключевую роль в повышении производительности смартфонов начального и среднего уровня, обеспечивая скорость передачи данных 1066 Мбит/с, что в два раза превышает показатели ранее разработанной мобильной памяти DRAM (MDDR). По сравнению с памятью LPDDR2 DRAM класса 40 нм, память LPDDR2 DRAM класса 30 нм имеет производительность выше приблизительно на 30% и при этом потребляет на 25% меньше электроэнергии. Кроме того, применение технологического процесса класса 30 нм повышает производительность производства кристаллов на 60% по сравнению с технологическим процессом класса 40 нм.

Компания Samsung начала производство высокопроизводительной памяти 4Gb LPDDR2 DRAM класса 30 нм в марте прошлого года. В октябре компания Samsung представила решения с высокой плотностью записи данных, например, пакет 2ГБ LPDDR2 толщиной 0,8 мм, который включает 4 модуля памяти 4Gb LPDDR2 DRAM, и начала впервые применять модули LPDDR2 DRAM класса 30 нм в производстве памяти eMCP. Данная память была первоначально предназначена для смартфонов премиум-сегмента: предыдущие модули памяти eMCP от компании Samsung включали модуль 1 ГБ LPDDR2 DRAM класса 30 нм и память 32 ГБ eMMC на базе флэш-памяти NAND класса 20 нм.

Компания Samsung прогнозирует, что поставки смартфонов будут быстро расти с 460 млн. устройств в 2011 году до 770 млн. устройств в 2013 году. Кроме того, ожидается, что поставки смартфонов премиум-класса превысят 400 млн. устройств, в то время как поставки смартфонов начального и среднего уровня достигнут 200 млн. устройств.