Новая E-ревизия кристаллов 4Gb DDR3 производства Samsung Semiconductor

19.12.2014 | Samsung Semiconductor

Samsung Semiconductor сообщает об окончании подготовки к производству новой ревизии микросхем динамического ОЗУ, изготовленных по тех.процессу 20нм. Одновременно с этим анонсируется полное снятие с производства предыдущей D-ревизии кристаллов, изготовленных по тех.процессу 25нм. Основное отличие новых микросхем - энергоэффективность. Микросхемы 4Gbit DDR3 E-die доступны для заказов:

Density	Bus width	Voltage	1600MHz	1866MHz	2133MHz	Package
4Gbit	x16	DDR3 1.5V	K4B4G1646E-BCK0000	K4B4G1646E-BCMA000	K4B4G1646E-BCNB000	FBGA-96
	x16	DDR3L 1.35V	K4B4G1646E-BYK0000	K4B4G1646E-BYMA000	-	FBGA-96
	x8	DDR3 1.5V	K4B4G0846E-BCK0000	K4B4G0846E-BCMA000	K4B4G0846E-BCNB000	FBGA-78
	x8	DDR3L 1.35V	K4B4G0846E-BYK0000	K4B4G0846E-BYMA000	-	FBGA-78

Ресурсы:

Заказ образцов

Каталог компонентов

Линии поставок

Новая E-ревизия кристаллов 4Gb DDR3 производства Samsung Semiconductor