1Gbit DDR3 производства Samsung Semiconductor

Компания Samsung Semiconductor сообщает о завершении подготовки к производству новой ревизии кристаллов DDR3 SDRAM изготовленных по технологическому процессу 25нм. Образцы 1Gb I-die K4B1G1646I-Bxxx доступны для заказов.

Samsung Semiconductor сообщает об окончании подготовки к производству новой ревизии микросхем динамического ОЗУ, изготовленных по тех.процессу 25нм. Одновременно с этим анонсируется полное снятие с производства предыдущей G-ревизии кристаллов (K4B1G1646G-Bxxx), изготовленных по тех.процессу 35нм. Основное отличие новых микросхем - энергоэффективность. Новые микросхемы 1Gbit DDR3 I-die доступны для заказов:

Ресурсы:

• Заказ образцов