Компания NXP Semiconductors анонсировала серию LDO стабилизаторов LD6806, отличительной особенностью которых является низкое падение напряжение (менее 60 мВ при токе 200 мА), миниатюрный форм-фактор (0.76x0.76x0.47 мм) и малый уровень шумов (менее 30 мкВRMS). LD6806 будет полезен в тех приложениях, где критична площадь, занимаемая компонентом, а также энергопотребление в режиме Stand-By.
Стабилизатор доступен в трёх различных корпусах: WLCSP4 (0.76x0.76x0.47 мм), SOT886 (1.0x1.45x0.5 мм), SOT753 (1.5x2.9x1.0 мм):
|
|
|
WLCSP4 | SOT886 | SOT753 |
В зависимости от типа выхода LD6806 различают два варианта: с высокоимпедансным выходом (окончание H) или pull-down выходом (окончание P). В зависимости от версии, при выключении стабилизатора (Stand-By режим) его выход либо переходит в высокоимпедансное состояние, либо подтягивается к земляной шине внутренним подтягивающим резистором. В семействе доступны 14 вариантов микросхем с разными выходными напряжениями: от 1.2В до 3.6В.
Продукт | VIN | VOUT | ∆V0 | PSRR 1mA@1kHz | IOUT | PD | ISB | Выходной шум |
LD6806CX4/xxP(WLCSP4) | 2.3 - 5.5В | 1.2В, 1.3В, 1.4В, 1.6В, 1.8В, 2.0В, 2.2В, 2.3В, 2.5В, 2.8В, 2.9В, 3.0В, 3.3В, 3.6В | ±2% | 55 dB | 200 мА | 650 мВт | 0.1 мкА | 30 мкВRMS |
LD6806CX4/xxH(WLCSP4) | 2.3 - 5.5В | 1.2В, 1.3В, 1.4В, 1.6В, 1.8В, 2.0В, 2.2В, 2.3В, 2.5В, 2.8В, 2.9В, 3.0В, 3.3В, 3.6В | ±2% | 55 dB | 200 мА | 650 мВт | 0.1 мкА | 30 мкВRMS |
LD6806F/xxP(SOT886) | 2.3 - 5.5В | 1.2В, 1.3В, 1.4В, 1.6В, 1.8В, 2.0В, 2.2В, 2.3В, 2.5В, 2.8В, 2.9В, 3.0В, 3.3В, 3.6В | ±2% | 55 dB | 200 мА | 450 мВт | 0.1 мкА | 30 мкВRMS |
LD6806F/xxH(SOT886) | 2.3 - 5.5В | 1.2В, 1.3В, 1.4В, 1.6В, 1.8В, 2.0В, 2.2В, 2.3В, 2.5В, 2.8В, 2.9В, 3.0В, 3.3В, 3.6В | ±2% | 55 dB | 200 мА | 450 мВт | 0.1 мкА | 30 мкВRMS |
LD6806TD/xxP(SOT753) | 2.3 - 5.5В | 1.2В, 1.3В, 1.4В, 1.6В, 1.8В, 2.0В, 2.2В, 2.3В, 2.5В, 2.8В, 2.9В, 3.0В, 3.3В, 3.6В | ±2% | 55 dB | 200 мА | 700 мВт | 0.1 мкА | 30 мкВRMS |
LD6806TD/xxH(SOT753) | 2.3 - 5.5В | 1.2В, 1.3В, 1.4В, 1.6В, 1.8В, 2.0В, 2.2В, 2.3В, 2.5В, 2.8В, 2.9В, 3.0В, 3.3В, 3.6В | ±2% | 55 dB | 200 мА | 700 мВт | 0.1 мкА | 30 мкВRMS |
Основные характеристики:
Области применения:
Образцы микросхем доступны для заказа.