Новые сдвоенные MOSFET транзисторы NXP Semiconductors в компактном корпусе LFPAK56D

Компания NXP Semiconductors анонсировала линейку MOSFET транзисторов в новом компактном корпусе для SMD монтажа LFPAK56D (Power-SO8), размером всего 5х6х1 мм.

Линейка транзисторов, включающая в себя более 40 элементов, выполнена по технологии Copper clip, сертифицирована для применения в автомобильной промышленности и полностью соответствует стандарту AEC-Q101. Новые транзисторы обладают малым сопротивлением канала R_DSon 4,2+ мОм, высоким рабочим током и малым зарядом затвора Q_GD.  Транзисторы рассчитаны на рабочие напряжения (V_DS) 30-100 В и рабочий диапазон температур -50…175 °C. Компактный корпус LFPAK56D (Power-SO8), позволяет уменьшить занимаемую площадь печатной платы до 77%, в сравнении с аналогичными транзисторами в корпусе DPAK, что позволяет сократить затраты на изготовления устройства и уменьшить его себестоимость.

Основные преимущества:

• высокая эффективность при применении в силовых схемах переключения благодаря низкому сопротивлению R_DSon открытого канала, низкого заряда затвора Q_GD, и использованию новой технологии
• маленький размер корпуса оптимален для применений в компактных устройствах
• высокие тепловые характеристики R_th(j-mb)
• уменьшенные пиковые значения при переключении
• нормированные лавинные параметры, протестированные на заводе-изготовителе, дающие гарантию высокой надежности
• экономия места до 77%

Основные характеристики:

Доступность MOSFET транзисторов в корпусе LFPAK56D (Power-SO8):

Перечень доступных для заказа образцов транзисторов в корпусе LFPAK56D (Power-SO8) можно уточнить на сайте производителя.

Ресурсы: