Высокоэффективные 600В MOSFET серии X в новых корпусах TO-247 4L с “отводом Кельвина” компании Toshiba Semiconductor

Компания Toshiba Semiconductor расширяет линейку силовых высоковольтных MOSFET ключей серии X, добавляя модели в новом корпусе TO-247-4L с “отводом Кельвина”.

В традиционных корпусах TO-247 с тремя выводами паразитная индуктивность на выводе истока (Source) приводит к повышенным потерям при увеличении частоты переключения. В новом корпусе TO-247 4L используется дополнительный отдельный вывод сигнала истока (Source 2), называемый «отводом Кельвина». Использование этого вывода истока позволяет увеличить значение di/dt и повысить эффективность переключения. Относительно приборов с тремя выводами потери при переключении (E_ON) снижены в среднем на 15 %.

У транзисторов серии X (DTMOSIV-H) снижен общий заряд затвора (Q_g) и заряд затвора относительно стока (Q_gd), в среднем на 30% и 45% соответственно, чем у моделей серии W (DTMOSIV) с тем же сопротивлением открытого канала (R_DS(on)).

Отличительные черты TKxxZ60X (в TO-247 4L):

• Напряжение сток-исток (V_DSS) 600 В;
• Q_gd на 45% ниже в сравнении с серией W (DTMOSIV);
• Низкий R_DS(on) от 0.125 до 0.040 Ом;
• E_ON на 15% ниже в сравнении c TKxxN60X (в TO-247).

Технические характеристики:

Доступность:

Транзисторы находятся в массовом производстве и доступны под заказ через официального дистрибьютора компании Toshiba фирму МТ-Систем.

toshiba@mt-system.ru

+7(812)325-36-85