Главная / Новости / Новости "Новые продукты" / TPWR7904PB, TPW1R104PB – новые 40В, N-канальные МДП-транзисторы на 120 и 150A с дополнительным теплоотводом компании Toshiba

TPWR7904PB, TPW1R104PB – новые 40В, N-канальные МДП-транзисторы на 120 и 150A с дополнительным теплоотводом компании Toshiba

Toshiba Semiconductor® расширяет серию МОП-транзисторов U-MOS IX-H, предлагая разработчикам два новых устройства с каналом N-типа на 40 В.

 

Новые транзисторы TPWR7904PB (RDS(ON)=0.79 мОм) и TPW1R104PB (RDS(ON)=1.96 мОм) имеют максимальное допустимое значение (VDSS) 40 В и могут работать при напряжениях между затвором и истоком (VGSS) в диапазоне ±20 В. Максимальные значения постоянного тока стока (ID) составляют 150 и 120 А соответственно.

Транзисторы выпускаются в корпусах DSOP Advance (WF). Это стандартный форм-фактор 5x6мм, называемый у разных производителей по-разному: SO-8FL, DFN-5, LFPAK, SOT669, PowerPAK SO-8, PQFN, PowerFLAT(6x5) или Power 56. В корпусе DSOP Advance (WF) используется конструкция выводов со смачиваемой боковой поверхностью, позволяющая автоматически осуществлять визуальный контроль пайки на печатных платах, что является ключевым требованием обеспечения контроля качества в автомобильной промышленности. Следует так же отметить, что корпус DSOP Advance (WF) имеет дополнительный теплоотвод сверху, что избавляет от необходимости использовать радиатор в некоторых дизайнах.

В новых МДП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки для низковольтных устройств девятого поколений U-MOS IX-H, позволяющий добиться ведущих в отрасли показателей сопротивления в открытом состоянии и быстродействия, а так же добиться значительного уровня снижения ЭМИ.

 

Технические характеристики:

 

Модель

VDSS

 

(В)

 VGSS

 

(В)

ID

 

(А)

RDS(ON)@VGS=10В

макс.

(Ом)

Vth

 

(В)

СISS

тип.(пФ)

Qg

тип.

(нКл)

Корпус

TPWR7904PB

40

±20

150

0.79

2..3

6650

85

DSOP Advance (WF)

TPW1R104PB

40

±20

120

1.14

2..3

4560

55

DSOP Advance (WF)

 

Условия поставок / Технический вопрос