Toshiba Semiconductor® расширяет серию МОП-транзисторов U-MOS IX-H, предлагая разработчикам два новых устройства с каналом N-типа на 40 В.
Новые транзисторы TPHR7904PB (RDS(ON)=0.79 мОм) и TPH1R104PB (RDS(ON)=1.96 мОм) имеют максимальное допустимое значение (VDSS) 40 В и могут работать при напряжениях между затвором и истоком (VGSS) в диапазоне ±20 В. Максимальные значения постоянного тока стока (ID) составляют 150 и 120 А соответственно.
Транзисторы выпускаются в корпусах SOP Advance (WF). Это стандартный форм-фактор 5x6мм, называемый у разных производителей по-разному: SO-8FL, DFN-5, LFPAK, SOT669, PowerPAK SO-8, PQFN, PowerFLAT(6x5) или Power 56. В корпусе SOP Advance (WF) используется конструкция выводов со смачиваемой боковой поверхностью, позволяющая автоматически осуществлять визуальный контроль пайки на печатных платах, что является ключевым требованием обеспечения контроля качества в автомобильной промышленности.
В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки для низковольтных устройств девятого поколений U-MOS IX-H, позволяющий добиться ведущих в отрасли показателей сопротивления в открытом состоянии и быстродействия, а так же добиться значительного уровня снижения ЭМИ.
Технические характеристики:
Модель |
VDSS
(В) |
VGSS
(В) |
ID
(А) |
R DS(ON)@VGS=10В макс. (Ом) |
Vth
(В) |
СISS тип.(пФ) |
Qg тип. (нКл) |
Корпус |
40 |
±20 |
150 |
0.79 |
2..3 |
6650 |
85 |
SOP Advance (WF) |
|
40 |
±20 |
120 |
1.96 |
2..3 |
4560 |
55 |
SOP Advance (WF) |