Toshiba Semiconductor® расширяет серию МОП-транзисторов U-MOS VIII-H, предлагая разработчикам два новых устройства с каналом N-типа на 100 В.
Новые транзисторы TPH6R30ANL (RDS(ON)=6.3 мОм) и TPH4R10ANL (RDS(ON)=4.1 мОм) имеют максимальное допустимое значение (VDSS) 100 В и могут работать при напряжениях между затвором и истоком (VGSS) в диапазоне ±20 В. Максимальные значения постоянного тока стока (ID) составляют 45 и 70 А соответственно. Оба транзистора способны открываться логическими уровнями 4.5В.
Транзисторы выпускаются в корпусах SOP Advance. Это стандартный корпус 5x6мм, называемый у разных производителей по-разному: SO-8FL, DFN-5, LFPAK, SOT669, PowerPAK SO-8, PQFN, PowerFLAT(6x5) или Power 56.
В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки для низковольтных устройств, позволяющий добиться ведущих в отрасли показателей сопротивления в открытом состоянии и быстродействия.
Усовершенствованная структура полупроводника обеспечивает увеличение основного показателя добротности (RDS(ON) * Qsw), тем самым повышая эффективность работы схем переключения. Потери на выходе снижаются за счет уменьшения выходного заряда, что повышает эффективность работы систем.
Технические характеристики:
Модель |
VDSS |
VGSS |
ID |
RDS(ON) |
Vth |
Qsw |
Qoss |
Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
100 |
±20 |
45 |
6.3 |
1.5...2.5 |
14 |
46 |
SOP Advance |
|
100 |
±20 |
70 |
4.1 |
1.5...2.5 |
21 |
74 |
SOP Advance |