Toshiba Semiconductor® расширяет серию МОП-транзисторов U-MOS VIII-H, предлагая разработчикам два новых устройства с каналом N-типа на 100 В.

	 
Новые транзисторы TPH6R30ANL (RDS(ON)=6.3 мОм) и TPH4R10ANL (RDS(ON)=4.1 мОм) имеют максимальное допустимое значение (VDSS) 100 В и могут работать при напряжениях между затвором и истоком (VGSS) в диапазоне ±20 В. Максимальные значения постоянного тока стока (ID) составляют 45 и 70 А соответственно. Оба транзистора способны открываться логическими уровнями 4.5В.
Транзисторы выпускаются в корпусах SOP Advance. Это стандартный корпус 5x6мм, называемый у разных производителей по-разному: SO-8FL, DFN-5, LFPAK, SOT669, PowerPAK SO-8, PQFN, PowerFLAT(6x5) или Power 56.
В новых МОП-транзисторах используется технологический процесс формирования структуры канавки для низковольтных устройств, позволяющий добиться ведущих в отрасли показателей сопротивления в открытом состоянии и быстродействия.
Усовершенствованная структура полупроводника обеспечивает увеличение основного показателя добротности (RDS(ON) * Qsw), тем самым повышая эффективность работы схем переключения. Потери на выходе снижаются за счет уменьшения выходного заряда, что повышает эффективность работы систем.
Технические характеристики:
| Модель | VDSS | VGSS | ID | RDS(ON) | Vth | Qsw | Qoss | Корпус | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 100 | ±20 | 45 | 6.3 | 1.5...2.5 | 14 | 46 | SOP Advance | |
| 100 | ±20 | 70 | 4.1 | 1.5...2.5 | 21 | 74 | SOP Advance | 
Условия поставок / Технический вопрос
