Компания Toshiba Semiconductor представила новое поколение 600 В МДП-транзисторов на базе технологии π-MOS IX. Эта технология, лежащая в основе линейки, позволила на 5дБ снизить ЭМИ коммутационных помех по сравнению с предыдущей технологией π-MOS VII, сохранив уровень эффективности переключений и цены на прежнем уровне. |
Технические характеристики:
Модель |
Корпус |
VDSS (В) |
ID (А) |
RDS(ON)@VGS=10В макс (Ом) |
Qg тип. (нКл) |
Ciss тип. (пкФ) |
Предыдущая модель π-MOS VII |
TO-220SIS |
600 |
11 |
0.65 |
34 |
1320 |
||
TO-220SIS |
600 |
10 |
0.75 |
30 |
1130 |
||
TO-220SIS |
600 |
6 |
1.2 |
21 |
740 |
TK6A60D (1.25Ω) |
|
TO-220SIS |
600 |
3.7 |
1.9 |
14 |
490 |
TK4A60DB (2.0Ω) |