Главная / Новости / Новости "Новые продукты" / TKxxx650F – новая серия МДП-транзисторов компании Toshiba Semiconductor с низким ЭМИ на прежнем уровне эффективности

TKxxx650F – новая серия МДП-транзисторов компании Toshiba Semiconductor с низким ЭМИ на прежнем уровне эффективности

Компания Toshiba Semiconductor представила новое поколение 600 В МДП-транзисторов на базе технологии π-MOS IX. Эта технология, лежащая в основе линейки, позволила на 5дБ снизить ЭМИ коммутационных помех по сравнению с предыдущей технологией π-MOS VII, сохранив уровень эффективности переключений и цены на прежнем уровне.

 

Технические характеристики:

 

Модель

Корпус

VDSS

(В)

ID

(А)

RDS(ON)@VGS=10В макс (Ом)

Qg тип.

(нКл)

Ciss тип.

(пкФ)

Предыдущая модель

π-MOS VII

TK650A60F

TO-220SIS

600

11

0.65

34

1320

TK11A60D

TK750A60F

TO-220SIS

600

10

0.75

30

1130

TK10A60D

TK1K2A60F

TO-220SIS

600

6

1.2

21

740

TK6A60D (1.25Ω)

TK1K9A60F

TO-220SIS

600

3.7

1.9

14

490

TK4A60DB (2.0Ω)

 

 

Условия поставок / Технический вопрос