TK3R1E04PL и TK3R1A04PL – новые 40В, n-канальные МОП-транзисторы на 100 и 82A в форм-факторе TO-220 компании Toshiba

Toshiba Semiconductor® дополняет серию высокоэффективных МОП-транзисторов U-MOS IX-H двумя новыми устройствами с каналом n-типа на 40В.

Новые транзисторы TK3R1E04PL (в корпусе TO-220) и TK3R1A04PL (в корпусе TO-220SIS) имеют максимальное допустимое значение (V_DSS) 40В и могут работать при напряжениях между затвором и истоком (V_GSS) в диапазоне ±20В. Максимальные значения постоянного тока стока (I_D) составляют 100 и 82А соответственно.

Корпуса TO220 и TO220SIS обеспечивают лучшую в классе эффективность в широком диапазоне режимов нагрузки во всем температурном диапазоне (максимальная температура перехода 175°С).

Оба устройства обладают низким типовым сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) — всего 2,5мОм (при V_GS = 10В) и типовой выходной емкостью (C_OSS), равной 1000пФ. Такие характеристики обеспечивают эффективную работу в открытом состоянии, быстрое переключение и снижение потерь при переключении.

Устройства TK3R1E04PL и TK3R1A04PL помогут инженерам-разработчикам повысить эффективность и снизить энергопотребление в устройствах, таких как преобразователи постоянного тока, синхронные выпрямители и устройства управления мощными низковольтными двигателями.

Отличительные черты:

• Максимальное напряжение сток-исток, V_DSS: 40В
• Максимальное напряжение затвор-исток, V_GSS: ±20В
• Максимальные значения постоянного тока стока, I_D:
  • 100A (TK3R1E04PL)
  • 82A (TK3R1A04PL)
• Низкое сопротивление открытого канала, R_DS(on):
  • 3.8мОм макс. @V_GS=4.5В
  • 3.1мОм макс. @V_GS=10В
• Пороговое напряжение, V_th: 2.4В макс.
• Входная емкость, C_iss: 4670пФ тип.
• Проходная емкость, C_rss: 70пФ тип.
• Выходная емкость, C_oss: 1000пФ тип.
• Общий заряд затвора, Q_g: 63.4нКл тип.
• Заряд затвор-исток, Q_gs: 16.8нКл тип.
• Заряд затвор-сток, Q_gd: 8.9нКл тип.
• Заряд переключений, Q_sw: 17.5нКл тип.
• Выходной заряд, Q_oss: 42нКл тип.
• Корпус:
  • TO-220 (TK3R1E04PL)
  • TO-220SIS (TK3R1A04PL)