Главная / Новости / Новости "Новые продукты" / SSM6N813R – новый сдвоенный N-канальный 100В/3.5А/112мОм транзистор в SO23-6 с высоким уровнем ESD защиты Toshiba Semiconductor

SSM6N813R – новый сдвоенный N-канальный 100В/3.5А/112мОм транзистор в SO23-6 с высоким уровнем ESD защиты Toshiba Semiconductor

20.03.2019 | Новые продукты

МТ-Системс информирует разработчиков о появлении на рынке очередного компактного транзистора SSM6N813R компании Toshiba Semiconductor.

 

Новый прибор представляет собой 2 N-канальных МДП-транзистора с довольно высокими для форм-фактора SOT-23-6 с напряжением сток-исток в 100 В характеристиками.

При столь скромных габаритах транзистор обладает высокой стойкостью к ESD (HBM: 2-kV), максимальной мощностью рассеивания 1.5 Вт, низким сопротивлением канала в открытом состоянии 112 мОм и высоким током стока до 3.5 А.

Следует отметить, что на сегодняшний момент такие характеристики типичны для корпуса SO8, однако уникальные технологии компании Toshiba Semiconductor позволили воплотить их в корпусе TSOP6F, который занимает на 70% меньшую площадь.

SSM6N813R сертифицирован по автомобильному стандарту AEC-Q101, максимальная температура PN-перехода составляет 175 °C. Транзистор хорошо открывается логическим уровнем напряжения 4.5 В.

 

Чертеж корпуса и рекомендованного посадочного места

 

Основные характеристики SSM6N813R:

Транзистор

SSM6N813R

VDSS @ 25°C

[V]

100

ID @ 25°C

[A]

3.5

VGS(br) min

[V]

±20

VGS(th) min..max

[V]

1.5...2.5

RDS(on) @ 4.5V max

[mΩ]

154

RDS(on) @ 10V max

[mΩ]

112

Qg typ

[nC]

3.6

Ciss

[pF]

242

Спецификация

-

 

Условия поставок / Технический вопрос