Серия X высокоэффективных 600В MOSFET компании Toshiba Semiconductor

Компания Toshiba Semiconductor объявляет о расширении модельного ряда силовых высоковольтных MOSFET ключей.

Транзисторы новой серии X имеют общий заряд затвора (Q_g) и заряд затвора относительно стока (Q_gd), меньше на 30% и 45% соответственно, чем предшествующие модели и обладают таким же низким сопротивлением открытого канала (R_DSon). Улучшения параметров удалось добиться за счет использования инновационного техпроцесса DTMOSIV-H.

Следует отметить, что чем меньше Q_gd, тем выше скорость переключения и тем меньше коммутационные потери. Важный параметр для оценки мощных транзисторов – показатель качества (figure of merit, FOM), который имеет несколько определений. Особый интерес для разработчиков силовых систем представляет FOM_p, определяемый значениями R_DSon и Q_gd, как:

FOM_p = R_DSon*Q_gd.

Отличительные черты:

• Напряжение сток-исток (V_DSS) 600 В
• Примерно на 45% уменьшен Q_gd по сравнению с 600 В MOSFET по техпроцессу DTMOSIV
• Сопротивление открытого канала (R_DSon) от 0.088 до 0.040 Ом
• Модели в корпусе TO-247 (TKxxN60X) в массовом производстве
• Готовятся к выпуску модели в корпусах TO-220SIS, TO-220 и DFN 8×8 (TKxxA60X, TKxxE60X и TKxxV60X соответственно)

Чертеж корпуса TO-247

Типовое применение транзисторов новой серии

Технические характеристики:

Доступность:

Транзисторы находятся в массовом производстве. Для заказа обращайтесь в фирму МТ-Систем:

toshiba@mt-system.ru

+7(812)325-36-85