Samsung начинает серийное производство первой в отрасли вертикальной 3D-памяти NAND

Samsung начинает серийное производство первой в отрасли

вертикальной 3D-памяти NAND

Прорыв в преодолении пределов масштабирования NAND, возвещающий о начале новой эры 3D-памяти

СЕУЛ, Корея – 6 августа 2013 г. – Компания Samsung Electronics Co., Ltd., мировой лидер в отрасли развития технологий памяти, сообщила сегодня о начале серийного производства первой в отрасли трехмерной (3D) вертикальной NAND (V-NAND) флэш-памяти, которая ознаменует прорыв текущего предела масштабирования существующих флэш-технологий. Достигнув успеха в производительности и расширении, новая память 3D V-NAND будет широко использоваться в бытовой технике и корпоративных приложениях, включая встроенную память NAND и флэш-диски (SSD).

Новая память V-NAND от Samsung обладает плотностью в 128 гигабит в одной микросхеме, используя запатентованную Samsung технологию вертикальных ячеек, основанную на технологии Charge Trap Flash (CTF) (память с ловушкой заряда) и технологии вертикальных межсоединений, позволяющие соединить трехмерный массив ячеек. Применяя обе эти технологии, 3D V-NAND от Samsung способна предоставить более, чем в два раза больше планарной NAND-флэш памяти, чем класс 20 нм*.

«Новая флэш-технология 3D V-NAND является результатом многих лет усилий наших сотрудников по выходу за пределы традиционного мышления и следованию более инновационным подходам по преодолению ограничений конструкции полупроводниковой технологии памяти,» – говорит Джон-Хук Чо, старший вице-президент по флэш-продукции и технологиям компании Samsung Electronics. «После запуска первого в мире серийного производства трехмерных вертикальных NAND, мы продолжим внедрять продукцию 3D V-NAND с улучшенной производительностью и большей плотностью, что будет способствовать дальнейшему росту мировой отрасли производства памяти».

Последние 40 лет традиционная флэш-память основывалась на планарных структурах, пользующихся плавающими затворами. В то время, как технология производственных процессов продвинулась к классу 10 нм* и далее, встал вопрос о пределе масштабирования из-за межъячеечный помех, которые вызывают компромиссы в вопросах о надежности продуктов NAND. Это также привело к дополнительным разработкам и затратам.

Новый V-NAND от компании Samsung справился с этими техническими проблемами, достигнув новых уровней новаторских решений для цепей, структуры и производственного процесса, благодаря чему было успешно разработано вертикальное объединение рядов планарных ячеек для новой трехмерной структуры. Для того, чтобы сделать это, компания Samsung переделала свою CTF-архитектуру, представленную впервые в 2006 году. Во флэш-архитектуре NAND на основе CTF, электрический заряд временно помещается в удерживающую камеру токонепроводящего слоя флэш, состоящего из нитрида кремния (SiN), вместо того, чтобы использовать плавающий затвор для предотвращения помех между соседними ячейками.

Сделав слой CTF трехмерным, надежность и скорость памяти NAND значительно улучшилась. Новая память 3D V-NAND, в отличие от традиционной NAND флэш-памяти с плавающим затвором класса 10 нм, предлагает не только увеличение надежности в 2-10 раз, но и увеличение вдвое производительности записи.

Также одним из наиболее важных технологических достижений новой памяти Samsung V-NAND является то, что уникальная технология обработки вертикальных межсоединений может вертикально вместить до 24 слоев ячеек при помощи особой технологии подгонки, которая электронно соединяет слои, проделывая отверстия от верхнего слоя вниз. С новой вертикальной структурой компания Samsung может позволить изготовление флэш-памяти с большей плотностью, увеличивая слои 3D-ячеек без необходимости продолжения планарного масштабирования, достижение которого стало очень трудной задачей.

После приблизительно 10 лет исследований по вертикальной 3D NAND, на данный момент компания Samsung имеет более 300 заявок на патент по технологиям трехмерной памяти по всему миру. Представив первую вертикальную память 3D NAND, компания Samsung усилила свою конкурентоспособность в отрасли производства памяти, а также заложила основу для появления более продвинутой продукции, включая NAND флэш-память на 1 терабит, установив тем самым более высокий темп развития отрасли.

Согласно IHS iSuppli ожидается, что к концу 2016 года мировой рынок флэш-памяти типа NAND достигнет доходов в 30,8 миллиардов долларов США, составляя на 2013 год 23,6 миллиардов со среднегодовым темпом роста в 11%, выходя в лидеры по росту во всей отрасли производства решений памяти.

Сведения о компании Samsung Electronics Co., Ltd.

Компания Samsung Electronics Co., Ltd. – это мировой лидер в области технологий, которые открывают новые возможности для людей во всем мире. Благодаря постоянным инновациям и открытиям мы преобразуем мир телевидения, смартфонов, персональных компьютеров, принтеров, фотоаппаратов, бытовых устройств, систем LTE, медицинских устройств, полупроводников и ЖК-решений. На наших предприятиях в 79 странах работает 236 000 человек, а объем ежегодных продаж превышает 187,8 млрд долларов США. Для получения дополнительной информации посетите веб-сайт www.samsung.com.

Сведения о компании Samsung Semiconductor Europe

Samsung Semiconductor Europe является полной собственностью Samsung Electronics Co. Ltd. (Сеул, Корея) со штаб-квартирой в г. Эшборн около Франкфурта-на-Майне, Германия, и руководит отделениями по всему региону ЕМЕА (Европа, Ближний Восток и Африка). Европейская штаб-квартира занимается маркетингом и продажами для бизнес-подразделений Samsung Electronics, связанных с компонентами, включая подразделения Memory, System LSI, LED и Display, в регионе ЕМЕА (Европа, Ближний Восток и Африка). Для получения дополнительной информации посетите веб-сайт www.samsung.com/semiconductor.

Компания МТ-Систем является дистрибьютором компании Samsung Electronics Co., Ltd.