Новое поколение 600/650 В МОП-транзисторов c низким уровнем коммутационных помех компании Toshiba Semiconductor

Компания Toshiba Semiconductor представляет новое поколение 600/650 В МОП-транзисторов – DTMOS-V. Новые технологии DTMOS-V, лежащие в основе линейки, позволили значительно уменьшить уровень излучения от коммутационных помех до 3-5дБ (в диапазоне 150-200 МГц, на оценочных платах Toshiba).

Так же у нового поколения устройств уменьшено значение сопротивления открытого канала на единицу площади (RON×A), что позволило добавить новый 650 В транзистор с RDS(on)=0.29 Ом и снизить их стоимость.