Новая серия сверхэффективных 800-900 В транзисторов компании Toshiba Semiconductor

Компания Toshiba Semiconductor представляет новую серию сверхэффективных быстродействующих высоковольтных МОП-транзисторов для создания импульсных регуляторов напряжения.

Разработчикам предлагается 4 новых транзистора с номинальным напряжением 800 и 900 В. Транзисторы обладают низким типовым сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) вплоть до 1,9 Ом. Целевые области применения новых транзисторов — обратноходовые преобразователи для светодиодных осветительных приборов, дополнительные источники питания и другие устройства, в которых требуется коммутация токов до 5 А.

Следует отметить, высокий показатель качества (FOM - figure of merit), FOM_p, определяемый значениями R_DS(on) и Q_gd (FOM_p = R_DS(on)*Q_gd) у всех транзисторов новой серии, что удалось достичь благодаря применению планарного технологического процесса производства полупроводников восьмого поколения Pi-MOS VIII. Эта технология обеспечивает снижение заряда и емкости затвора без потери преимуществ низкого значения R_DS(on).

Технические характеристики:

Доступность:

Транзисторы находятся в массовом производстве. Для заказа обращайтесь в фирму
МТ-Систем:

toshiba@mt-system.ru

+7(812)325-36-85