2 новых 100В МДП-транзистора поколения U-MOS IX-H компании Toshiba

Toshiba Semiconductor® представила на рынок 2 новых МДП-транзистора, созданных по последней технологии U-MOS IX-H, предлагая разработчикам два новых устройства с каналом N-типа на 100 В.

Ключевые особенности:

• МДП-транзистор с каналом N-типа
• Напряжение сток-исток, V_DSS: 100 В
• Ток стока I_D@25°C: 90 A (TPH3R70APL) и 40 А (TPN1200APL)
• Самое низкое R_DS(ON)@10В в классе: 3.7 и 11.5 мOм
• Низкие заряды: Q_OSS и Q_SW
• Надежно открываются при 4.5 В
• Корпуса SOP Advance (5x6 мм) и TSON Advance (3.3x3.3 мм)

Благодаря инновационной технологии U-MOS IX-H транзисторы TPH3R70APL и TPN1200APL обладают самым низким в своем классе сопротивлением открытого канала R_DS(ON). Вдобавок, в сравнении с предшественниками, созданными на базе техпроцесса U-MOS VIII-H, удалось снизить такие показатели как R_DS(ON) × Q_OSS и R_DS(ON) × Q_SW. Эти показатели играют ключевую роль в эффективности импульсных преобразователей. Например, у TPH3R70APL RDS(ON) × Q_OSS, а так же R_DS(ON) × Q_SW на 10% ниже, чем у транзистора TPH4R10ANL, созданного по U-MOSVIII-H-технологии.

Транзистор TPH3R70APL выпускается в корпусе SOP Advance. Это стандартный корпус 5x6мм, называемый у разных производителей по-разному: SO-8FL, DFN-5, LFPAK, SOT669, PowerPAK SO-8, PQFN, PowerFLAT(6x5) или Power56.

SOP Advance (5x6 мм)
Чертеж корпуса	Посадочное место

Транзистор TPN1200APL выпускается в корпусе TSON Advance. Это стандартный корпус 3x3мм, называемый у разных производителей по-разному: WDFN8, u8FL, VSON-CLIP, LFPAK33, SOT1210, PowerPAK 1212-8S, PowerFLAT(3.3x3.3) или Power33.

TSON Advance (3.3x3.3 мм)
Чертеж корпуса	Посадочное место

Основные параметры:

Доступность:

Оптореле TPH3R70APL и TPN1200APL находятся в массовом производстве и доступны под заказ.

Ресурсы:

• Спецификация TPH3R70APL
• Спецификация TPN1200APL

Условия поставок / Технический вопрос