Главная / Новости / Новости "МТ-Системс" / Новая серия высокоэффективных 800 В МОП-транзисторов в форм-факторе TO-220 компании Toshiba Semiconductor

Новая серия высокоэффективных 800 В МОП-транзисторов в форм-факторе TO-220 компании Toshiba Semiconductor

30.01.2017 | МТ-Системс

Компания Toshiba Semiconductor представляет новую серию высокоэффективных 800 В МОП-транзисторов в форм-факторе TO-220. Новые технологии DTMOS-IV, лежащие в основе линейки, позволили на 79% уменьшить значение сопротивления открытого канала на единицу площади (RON×A) по сравнению с предыдущей технологией π-MOSVIII. Это позволило в значительной степени уменьшить коммутационные потери и стоимость транзисторов.

 

Технические характеристики:

 

Модель

Корпус

VDSS

(В)

ID

(А)

RDS(ON)@VGS=10В макс

(Ом)

Qg тип.

(нКл)

Ciss тип.

(пкФ)

TK17A80W

TO-220SIS

800

17

0.29

32

2050

TK12A80W

TO-220SIS

800

11.5

0.45

23

1400

TK10A80W

TO-220SIS

800

9.5

0.55

19

1150

TK7A80W

TO-220SIS

800

6.5

0.95

13

700

TK17E80W

TO-220

800

17

0.29

32

2050

TK12E80W

TO-220

800

11.5

0.45

23

1400

TK10E80W

TO-220

800

9.5

0.55

19

1150

TK7E80W

TO-220

800

6.5

0.95

13

700

 

Условия поставок / Технический вопрос