Главная / Новости / Новости "МТ-Системс" / Образцы P- и N- канальных MOSFET-транзисторов с ультравысокой плотностью тока -10А и 9А в корпусе 2x2мм на складе МТ-Систем

Образцы P- и N- канальных MOSFET-транзисторов с ультравысокой плотностью тока -10А и 9А в корпусе 2x2мм на складе МТ-Систем

14.05.2015 | МТ-Системс

Компания МТ-Систем сообщает своим клиентам, о наличии на складе образцов SSM6J501NU и SSM6K504NU от одного из ведущих в отрасли мирового производителя – Toshiba Semiconductor.

Новые транзисторы отличаются крайне высокой плотностью тока:
P-канальный SSM6J501NU: -10А и N-канальный SSM6K504NU: 9А, при том, что транзисторы имеют субминиатюрный корпус UDFN6B (2x2мм).

 

Чертеж корпуса и рекомендованного посадочного места

Сравнительные характеристики SSM6J501NU и SSM6K504NU:

 

Транзистор

SSM6J501NU

SSM6K504NU

Полярность

 

P-канальный

N-канальный

VDSS @ 25°C

[V]

-20

30

ID @ 25°C

[A]

-10

9

VGS(br) min

[V]

±8

±20

VGS(th) max

[V]

-1

2.5

RDS(on) @ 4.5V max

[mΩ]

15.3

26

Qg typ

[nC]

26.9

4.8

Qgd typ

[nC]

5.6

1.6

Спецификация

 

Заказать Образцы