Главная / Новости / Новости "МТ-Системс" / Новые генераторы на основе MEMS технологии компании KDS

Новые генераторы на основе MEMS технологии компании KDS

16.05.2016 | МТ-Системс

Японская компания Daishinku Corp. (торговая марка KDS) представила новые генераторы на основе MEMS технологии.

Компания KDS мировой лидер по производству электронных компонентов на базе кварцевых кристаллов, объявила о начале производства элементов на основе продвинутой MEMS технологии (Microelectromechanical system), и представила ряд генераторов на основе этой технологии.

В качестве преимуществ продуктов на основе MEMS можно отметить пониженное энергопотребление, более широкий диапазон частот, улучшенные массогабаритные характеристики компонента, а так же более низкая цена.

Генераторы на основе MEMS, производства KDS представлены несколькими линейками элементов мегагерцового и килогерцового диапазона (Часовые):

MEMS генераторы / MEMS Oscillators

MEMS генераторы с низким энергопотреблением / Low Power MEMS Oscillators

Высокотемпературные MEMS генераторы / High Temperature MEMS Oscillators
MEMS генераторы с низкими фазовыми шумами / Low Phase Jitter MEMS Oscillators
MEMS тактовые генераторы / MEMS Oscillators for Clock
Высокотемпературные MEMS тактовые генераторы / High Temperature MEMS Oscillators for Clock
Широкополосные MEMS генераторы / MEMS Oscillators with Spread Spectrum Function
MEMS генераторы Часовые / kHz Band MEMS Oscillators
MEMS генераторы килогерцового диапазона / kHz Band MEMS Oscillators
Температурно-компенсированные MEMS генераторы часовые / kHz Band Temperature Compensated MEMS Oscillators

Высокие технические характеристики, широкий диапазон частот, компактные и удобные корпуса, высокая надежность, невысокий уровень цены MEMS генераторов, возможность выбора наиболее оптимального генератора – позволяет разработать и произвести высоконадежные, компактные и недорогие электронные устройства.

Краткие технические характеристики MEMS генераторов с низким энергопотреблением:

MO8008, MO8009, MO8021

  • Диапазон частот 1…137 MHz
  • Высокая стабильность частоты до 25ppm в диапазоне рабочих температур -40…+85 °C
  • Низкое потребление тока до 60 uA typ. и 0.7uA (Standby)
  • Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
  • Выход LVCMOS
  • Компактные и ультракомпактные корпуса QFN и CSP, размером от 1.55x0.85x0.6 mm до 7.0x5.0x0.9 mm

Краткие технические характеристики высокотемпературных MEMS генераторов:

MO8918, MO8919, MO8920

  • Диапазон частот 1…137 MHz
  • Высокая стабильность частоты до 25ppm
  • Широкий диапазон рабочих температур -40…+125 °C
  • Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
  • Выход LVCMOS
  • Компактные и ультракомпактные корпуса QFN размером от 2.0x1.6x0.75 mm до 7.0x5.0x0.9 mm

Краткие технические характеристики MEMS генераторов с низкими фазовыми шумами:

MO8208, MO8209, MO9120

  • Диапазон частот 1…625 MHz
  • Высокая стабильность частоты до 10ppm в диапазоне рабочих температур -40…+85 °C
  • Сверхнизкий фазовый джиттер < 0.6ps
  • Большая наработка на отказ (MTBF) не менее 500 млн. часов
  • Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
  • Выход LVCMOS, LVDS, LVPECL
  • Компактные корпуса QFN размером от 2.7x2.4x0.75 (совместимы с 2.5x2.0) mm до 7.0x5.0x0.9 mm

Краткие технические характеристики тактовых MEMS генераторов:

MO2001, MO2002

  • Диапазон частот 1…137 MHz
  • Высокая стабильность частоты до 20ppm в диапазоне рабочих температур -40…+85 °C
  • Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
  • Выход LVCMOS
  • Компактный и удобный для монтажа корпус SOT23-5 размером 2.9x2.8x1.2 mm

Краткие технические характеристики высокотемпературных тактовых MEMS генераторов:

MO2018, MO2019, MO2020, MO2021

  • Диапазон частот 1…137 MHz
  • Высокая стабильность частоты до 20ppm
  • Широкий диапазон рабочих температур -40…+125 °C
  • Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
  • Выход LVCMOS
  • Компактный и удобный для монтажа корпус SOT23-5 размером 2.9x2.8x1.2 mm

Краткие технические характеристики широкополосных MEMS генераторов:

MO9003

  • Диапазон частот 1…110 MHz
  • Высокая стабильность частоты до 50ppm в диапазоне рабочих температур -40…+85 °C
  • Низкий фазовый джиттер < 30ps
  • Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
  • Выход LVCMOS
  • Компактные корпуса QFN размером от 2.5x2.0x0.75 mm до 7.0x5.0x0.9 mm

Краткие технические характеристики Часовых MEMS генераторов:

MO1532, MO1630

  • Рабочая частота 32.768 kHz
  • Высокая стабильность частоты до 10ppm
  • Диапазон рабочих температур -40…+85 °C
  • Низкое потребление тока < 1 uA typ. и 0.7uA (Standby)
  • Встроенный фильтрующий конденсатор
  • Встроенный NanoDrive программируемый выход для уменьшения энергопотребления
  • Рабочее напряжение 1.2…3.63 V
  • Выход LVCMOS, NanoDrive
  • Ультракомпактные корпуса CSP и SMD от 1.55x0.85x0.0.6 mm и 2.0x1.2x0.55 mm

Краткие технические характеристики температурно-компенсированных Часовых MEMS генераторов:

MO1552

  • Рабочая частота 32.768 kHz
  • Высокая стабильность частоты до 5ppm в диапазоне рабочих температур -40…+85 °C
  • Ультранизкое потребление тока < 990 nA typ.
  • Встроенный фильтрующий конденсатор
  • Встроенный NanoDrive программируемый выход для уменьшения энергопотребления
  • Рабочее напряжение 1.5…3.63 V
  • Выход LVCMOS, NanoDrive
  • Ультракомпактный корпус CSP размером 1.55x0.85x0.0.6 mm

Доступность:

Образцы MEMS генераторов будут доступны для заказа в 3 квартале 2016 года, в массовом производстве будут доступны в 4 квартале 2016 года

Ресурсы:

MEMS генераторы KDS
Другая продукция KDS
Заказать MEMS генераторы