Японская компания Daishinku Corp. (торговая марка KDS) представила новые генераторы на основе MEMS технологии.
Компания KDS мировой лидер по производству электронных компонентов на базе кварцевых кристаллов, объявила о начале производства элементов на основе продвинутой MEMS технологии (Microelectromechanical system), и представила ряд генераторов на основе этой технологии.
В качестве преимуществ продуктов на основе MEMS можно отметить пониженное энергопотребление, более широкий диапазон частот, улучшенные массогабаритные характеристики компонента, а так же более низкая цена.
Генераторы на основе MEMS, производства KDS представлены несколькими линейками элементов мегагерцового и килогерцового диапазона (Часовые):
Высокие технические характеристики, широкий диапазон частот, компактные и удобные корпуса, высокая надежность, невысокий уровень цены MEMS генераторов, возможность выбора наиболее оптимального генератора – позволяет разработать и произвести высоконадежные, компактные и недорогие электронные устройства.
Краткие технические характеристики MEMS генераторов с низким энергопотреблением:
MO8008, MO8009, MO8021
- Диапазон частот 1…137 MHz
- Высокая стабильность частоты до 25ppm в диапазоне рабочих температур -40…+85 °C
- Низкое потребление тока до 60 uA typ. и 0.7uA (Standby)
- Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
- Выход LVCMOS
- Компактные и ультракомпактные корпуса QFN и CSP, размером от 1.55x0.85x0.6 mm до 7.0x5.0x0.9 mm
Краткие технические характеристики высокотемпературных MEMS генераторов:
MO8918, MO8919, MO8920
- Диапазон частот 1…137 MHz
- Высокая стабильность частоты до 25ppm
- Широкий диапазон рабочих температур -40…+125 °C
- Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
- Выход LVCMOS
- Компактные и ультракомпактные корпуса QFN размером от 2.0x1.6x0.75 mm до 7.0x5.0x0.9 mm
Краткие технические характеристики MEMS генераторов с низкими фазовыми шумами:
MO8208, MO8209, MO9120
- Диапазон частот 1…625 MHz
- Высокая стабильность частоты до 10ppm в диапазоне рабочих температур -40…+85 °C
- Сверхнизкий фазовый джиттер < 0.6ps
- Большая наработка на отказ (MTBF) не менее 500 млн. часов
- Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
- Выход LVCMOS, LVDS, LVPECL
- Компактные корпуса QFN размером от 2.7x2.4x0.75 (совместимы с 2.5x2.0) mm до 7.0x5.0x0.9 mm
Краткие технические характеристики тактовых MEMS генераторов:
MO2001, MO2002
- Диапазон частот 1…137 MHz
- Высокая стабильность частоты до 20ppm в диапазоне рабочих температур -40…+85 °C
- Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
- Выход LVCMOS
- Компактный и удобный для монтажа корпус SOT23-5 размером 2.9x2.8x1.2 mm
Краткие технические характеристики высокотемпературных тактовых MEMS генераторов:
MO2018, MO2019, MO2020, MO2021
- Диапазон частот 1…137 MHz
- Высокая стабильность частоты до 20ppm
- Широкий диапазон рабочих температур -40…+125 °C
- Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
- Выход LVCMOS
- Компактный и удобный для монтажа корпус SOT23-5 размером 2.9x2.8x1.2 mm
Краткие технические характеристики широкополосных MEMS генераторов:
MO9003
- Диапазон частот 1…110 MHz
- Высокая стабильность частоты до 50ppm в диапазоне рабочих температур -40…+85 °C
- Низкий фазовый джиттер < 30ps
- Рабочее напряжение 1.8…3.3 V
- Выход LVCMOS
- Компактные корпуса QFN размером от 2.5x2.0x0.75 mm до 7.0x5.0x0.9 mm
Краткие технические характеристики Часовых MEMS генераторов:
MO1532, MO1630
- Рабочая частота 32.768 kHz
- Высокая стабильность частоты до 10ppm
- Диапазон рабочих температур -40…+85 °C
- Низкое потребление тока < 1 uA typ. и 0.7uA (Standby)
- Встроенный фильтрующий конденсатор
- Встроенный NanoDrive программируемый выход для уменьшения энергопотребления
- Рабочее напряжение 1.2…3.63 V
- Выход LVCMOS, NanoDrive
- Ультракомпактные корпуса CSP и SMD от 1.55x0.85x0.0.6 mm и 2.0x1.2x0.55 mm
Краткие технические характеристики температурно-компенсированных Часовых MEMS генераторов:
MO1552
- Рабочая частота 32.768 kHz
- Высокая стабильность частоты до 5ppm в диапазоне рабочих температур -40…+85 °C
- Ультранизкое потребление тока < 990 nA typ.
- Встроенный фильтрующий конденсатор
- Встроенный NanoDrive программируемый выход для уменьшения энергопотребления
- Рабочее напряжение 1.5…3.63 V
- Выход LVCMOS, NanoDrive
- Ультракомпактный корпус CSP размером 1.55x0.85x0.0.6 mm
Доступность:
Образцы MEMS генераторов будут доступны для заказа в 3 квартале 2016 года, в массовом производстве будут доступны в 4 квартале 2016 года
Ресурсы: