850V Ultra-Junction X-Class HiPerFET Power MOSFETs представляют собой новую линейку транзисторов на напряжение 850 вольт и токи от 20 до 110 ампер.
Новое поколение транзисторов обладает самым низким среди аналогов сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) и зарядом затвора Qg, а также обладает устойчивостью к высокому dv/dt.
Особенности:
Области применения:
Новые 850V Ultra-Junction X-Class HiPerFET Power MOSFETs, доступные для заказа:
P/N |
VDSS(V) |
ID25 (A)
TC р=25°C
|
RDS(on)max(mΩ)
TJ=25°C
|
Qg(on)
typ(nC)
|
Ciss
typ(pF)
|
trr
typ(ns)
|
RthJC
max(°C/W)
|
PD
max(W)
|
Тип корпуса |
IXFH20N85X | 850 | 20 | 330 | 63 | 1660 | 190 | 0.23 | 540 | TO-247 |
IXFP20N85X | 850 | 20 | 330 | 63 | 1660 | 190 | 0.23 | 540 | TO-220 |
IXFA20N85XHV | 850 | 20 | 330 | 63 | 1660 | 190 | 0.23 | 540 | TO-263HV |
IXFH40N85X | 850 | 40 | 145 | 98 | 3700 | 200 | 0.145 | 860 | TO-247 |
IXFT40N85XHV | 850 | 40 | 145 | 98 | 3700 | 200 | 0.145 | 860 | TO-268HV |
IXFK50N85X | 850 | 50 | 105 | 152 | 4480 | 218 | 0.14 | 890 | TO-264 |
IXFT50N85XHV | 850 | 50 | 105 | 152 | 4480 | 218 | 0.14 | 890 | TO-268HV |
IXFH50N85X | 850 | 50 | 105 | 152 | 4480 | 218 | 0.14 | 890 | TO-247 |
IXFN66N85X | 850 | 65 | 65 | 230 | 8900 | 250 | 0.15 | 830 | SOT-227 |
IXFX66N85X | 850 | 66 | 65 | 230 | 8900 | 250 | 0.1 | 1250 | PLUS247 |
IXFK66N85X | 850 | 66 | 65 | 230 | 8900 | 250 | 0.1 | 1250 | TO-264 |
IXFB90N85X | 850 | 90 | 41 | 340 | 13300 | 250 | 0.07 | 1785 | PLUS264 |
IXFN90N85X | 850 | 90 | 41 | 340 | 13300 | 250 | 0.104 | 1200 | SOT-227 |
IXFN110N85X | 850 | 110 | 33 | 425 | 13300 | 205 | 0.107 | 1170 | SOT-227 |