Новое семейство MOSFET - GigaMOS

   Корпорация IXYS анонсировала выпуск новых MOSFET транзисторов на напряжение 170-300В – семейство GigaMOS^TM. Данные изделия обеспечивают коммутацию больших токов (до 260A), что позволяет их эффективно использовать в схемах, где ранее применялись  транзисторы небольшой мощности в параллельном включении. Результатом может быть уменьшение числа дискретных компонентов, что позволяет упростить конструкцию и увеличить надежность всего изделия. Данное семейство MOSFET транзисторов оптимизировано для применения в  широком списке приложений с большими токами коммутации.

   Транзисторы GigaMOS^TM Power MOSFETs выполнены по технологии Trench компании IXYS, что позволяет достичь низкого сопротивления канала в открытом состоянии Rds(on) наряду с малым зарядом затвора (Qg), что в совокупности дает оптимальные динамические и статические характеристики прибора. Улучшенные динамические характеристики получаются также за счет применения технологии HiPerFET^TM , которая обеспечивает низкий заряд (Qrr) параллельного быстрого диода и широкий диапазон dV/dt. Дополнительные преимущества- расширенный диапазон рабочих температур до 175С и лавинный режим работы.   

   Семейство GigaMOS^TM Power MOSFETs компании IXYS выпускается в стандартных промышленных корпусах на напряжения 170, 200, 250 и 300В и током коммутации от 120 до 260A. Данные транзисторы  предлагают разработчику широкий выбор силовых ключей для приложений с большим током, таких как: DC/DC преобразователи, зарядные устройства, импульсные и резонансные источники питания, управление двигателями, синхронные выпрямители и бесперебойные источники питания UPS. Возможность коммутировать большие токи позволяет эффективно применять данные транзисторы в гибридных автомобильных системах, а также в других приложениях с батарейным питанием.